Особенности формирования мезаструктуры методом электронно-лучевой литографии в полупроводниковых соединениях на основе GaAs

A. E. Yachmenev, D. V. Garabov, R. R. Galiev, D. S. Ponomarev, D. V. Lavrukhin

National Research Centre "Kurchatov Institute", Moscow

Received: 19.05.2025
Revised: 15.07.2025
Accepted: 05.08.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.21.61527.20377