RUS  ENG
Full version
JOURNALS // Kvantovaya Elektronika // Archive

Kvantovaya Elektronika, 2024 Volume 54, Number 4, Pages 218–223 (Mi qe18417)

Lasers

Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs

P. S. Gavrinaa, A. A. Podoskina, I. Shushkanova, S. O. Slipchenkoa, N. A. Pikhtina, T. A. Bagaeva, M. A. Laduginb, A. A. Marmalyukb, V. A. Simakovb

a Ioffe Institute, St. Petersburg
b Polyus Research and Development Institute named after M. F. Stel'makh, Moscow

Received: 07.05.2024
Revised: 15.07.2024



© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024