RUS
ENG
Full version
JOURNALS
// Kvantovaya Elektronika
// Archive
Kvantovaya Elektronika,
2024
Volume 54,
Number 4,
Pages
218–223
(Mi qe18417)
Lasers
Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
P. S. Gavrina
a
,
A. A. Podoskin
a
,
I. Shushkanov
a
,
S. O. Slipchenko
a
,
N. A. Pikhtin
a
,
T. A. Bagaev
a
,
M. A. Ladugin
b
,
A. A. Marmalyuk
b
,
V. A. Simakov
b
a
Ioffe Institute, St. Petersburg
b
Polyus Research and Development Institute named after M. F. Stel'makh, Moscow
Received:
07.05.2024
Revised:
15.07.2024
Fulltext:
PDF file (632 kB)
First page:
PDF file
References
©
Steklov Math. Inst. of RAS
, 2024