Lasers

Анализ механизмов насыщения мощных импульсных полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры InGaAsP/InP, излучающих на длине волны 1.55 мкм

A. Rizaev, A. A. Podoskin, I. V. Shushkanov, V. A. Kryuchkov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin

Ioffe Institute, St. Petersburg

Received: 12.03.2025
Revised: 05.05.2025
Accepted: 14.05.2025