Изучение кинетики сближения ступеней поверхности Si(100)

Проведены исследования кинетики сближения S$_{\mathrm{A}}$- и S$_{\mathrm{B}}$-ступеней на подложках Si(100) с отклонением 0.5 и 0.1$^\circ$. Для установления характера кинетики роста применялся анализ временных зависимостей интенсивности дифракции быстрых электронов. Показано, что в потоке Si со скоростью роста 0.37 ML/s скорость сближения ступеней имеет убывающую зависимость с увеличением температуры. Определено, что cкорость формирования однодоменной поверхности увеличивается с увлечением ширины террас на поверхности, что, возможно, связано с частичным участием роста за счет формирования двумерных островков. Выше температуры 650$^\circ$C доминирующий режим роста за счет движения ступеней и скорость формирования однодоменной поверхности уменьшается с увеличением ширины террас. Таким образом, сближение однослойных ступеней определяется как условиями роста молекулярно-лучевой эпитаксии, так и ориентацией подложки Si(100). Сближение S$_{\mathrm{A}}$- и S$_{\mathrm{B}}$-ступеней поверхности Si(100) объясняется замедленным движением S$_{\mathrm{A}}$-ступеней, что связано со сложными механизмами проницаемости и формирования изломов ступеней. Предполагается, что причиной замедленного сближения ступеней при повышении температуры является увеличение плотности изломов на S$_{\mathrm{A}}$-ступени, что снижает коэффициент проницаемости S$_{\mathrm{A}}$-ступени.