|
10-й Международный симпозиум по оптике и биофотонике 26-30 сентября, 2022, Саратов, Россия
|
|
Вступительная статья В. Л. Дербов
|
429 |
|
Теоретическая и математическая физика
|
|
Перепутывание изолированного кубита и кубита в резонаторе со средой Керра Е. К. Башкиров
|
431 |
|
Дифракция электромагнитных волн на одномерных дифракционных решетках, образованных щелями в абсолютно поглощающем экране А. М. Лерер, В. В. Махно, В. И. Кравченко
|
438 |
|
Влияние дислокационных диполей с разным плечом на деформационное поведение графена: молекулярная динамика А. Х. Ахунова, Ю. А. Баимова
|
445 |
|
Адиабатические волноводные моды трехслойного интегрально оптического волновода Д. В. Диваков, К. П. Ловецкий, А. Л. Севастьянов, А. А. Тютюнник
|
453 |
|
Атомная и молекулярная физика
|
|
Распространение сверхзвукового солитона в углеродных нанотрубках типа кресло В. В. Шунаев, А. П. Четвериков, О. Е. Глухова
|
458 |
|
Физическое материаловедение
|
|
Оптическая диффузионная диагностика эволюционирующих полимерных пен М. В. Алонова, С. С. Волчков, Д. А. Зимняков, А. А. Исаева, Е. А. Исаева, Е. В. Ушакова, О. В. Ушакова
|
463 |
|
Процессы абляции и роста структур при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов на поверхность галлия в среде аммиака Д. А. Кочуев, А. С. Черников, Д. В. Абрамов, А. А. Вознесенская, Р. В. Чкалов, К. С. Хорьков
|
473 |
|
Физика низкоразмерных структур
|
|
Влияние деформаций растяжения и сжатия на электропроводные свойства графен-нанотрубных композитов с топологией островкового типа М. М. Слепченков, П. В. Барков, О. Е. Глухова
|
481 |
|
Фотоника
|
|
Обогащение спектра многоволновой пикосекундной генерации синхронно-накачиваемого ВКР-лазера на кристалле Sr(MoO$_4$)$_{0.8}$(WO$_4$)$_{0.2}$ Д. П. Терещенко, С. Н. Сметанин, А. Г. Папашвили, К. А. Губина, Ю. А. Кочуков, С. А. Солохин, М. Н. Ершков, Е. В. Шашков, В. Е. Шукшин, Л. И. Ивлева, Е. Э. Дунаева, И. С. Воронина
|
488 |
|
Резонансное туннелирование фотонов в слоистых оптических наноструктурах (метаматериалах) М. В. Давидович
|
495 |
|
Спектрофотометрический метод исследования устойчивости комплексов поздних лантаноидов Ц. Б. Сумянова, В. Р. Прижилевская, Н. Е. Борисова
|
505 |
|
Ограничение мощности лазерного излучения углеродными материалами с нелинейным оптическим пороговым эффектом при форме импульса с плоской вершиной М. С. Савельев, П. Н. Василевский, Ю. П. Шаман, А. Ю. Толбин, А. Ю. Герасименко, С. В. Селищев
|
511 |
|
Измерение расстояния по максимальной частоте интерференционного сигнала при гармонической девиации длины волны лазерного автодина А. В. Скрипаль, С. Ю. Добдин, М. Г. Инкин, А. В. Джафаров
|
519 |
|
Дифракционная математическая модель лазерного спекл-интерферометра поперечных смещений рассеивающего объекта Л. А. Максимова, Н. Ю. Мысина, Б. А. Патрушев, В. П. Рябухо
|
525 |
|
|
Плазма
|
|
Оптимизация газовых смесей многополосных эксиламп А. М. Бойченко, М. С. Кленовский, Э. А. Соснин, В. Ф. Тарасенко
|
535 |
|
|
Твердое тело
|
|
Влияние частичного замещения железа на элементы IV группы на структуру и сверхпроводящие свойства соединения Fe(Se$_{0.2}$Te$_{0.8}$)$_{0.82}$ В. А. Русаков, М. П. Волков
|
546 |
|
|
Физическое материаловедение
|
|
Влияние скорости направленной кристаллизации и содержания кремния на структуру и прочность Al–Si–Cu-сплава С. П. Никаноров, В. Н. Осипов, Р. Б. Тимашов, А. В. Чикиряка
|
554 |
|
|
Твердотельная электроника
|
|
Эффект геттерирования в Cr/4$H$-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV И. П. Никитина, Е. В. Калинина, В. В. Забродский
|
562 |
|
|
Электрофизика
|
|
Характеристики матричного катода из карбида кремния в предпробойных и пробойных условиях В. А. Морозов, Н. В. Егоров, В. В. Трофимов, К. А. Никифоров, И. И. Закиров, В. М. Кац, В. А. Ильин, А. С. Иванов
|
568 |
|
|
Физическая электроника
|
|
Состав и оптические свойства аморфного плазмохимического оксинитрида кремния переменного состава a-SiO$_x$N$_y$ : H В. А. Володин, Г. Н. Камаев, В. А. Гриценко, С. Г. Черкова, И. П. Просвирин
|
575 |
|
|
Физические приборы и методы эксперимента
|
|
Измерение подвижности носителей заряда в образцах с низкой проводимостью методом полевого транзистора с использованием стоковых характеристик П. С. Парфенов, Ю. Г. Корженевский, А. А. Бабаев, А. П. Литвин, А. В. Соколова, А. В. Федоров
|
583 |