Я. А. Сычикова, “Особенности формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5”, Comp. nanotechnol., 2016, выпуск 1,страницы 40

НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Особенности формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5

Я. А. Сычикова

Бердянский государственный педагогический университет

Аннотация: В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах.

Ключевые слова: полупроводники, электрохимическое травление, кластеры, поры, стохастические системы, когерентные явления.