RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 11, страницы 1963–1965 (Mi phts2585)

Положение акцепторных уровней дивакансии в запрещенной зоне $n$-кремния, облученного протонами с энергией 6.3 МэВ

Б. В. Шемаев


Аннотация: Из анализа изменений температурных зависимостей постоянной Холла при облучении $n$-кремния протонами с энергией 6.3 МэВ и данных изохронного отжига установлено, что вводимые с высокой интенсивностью первичные дивакансии имеют акцепторные уровни $E_{c}{-}0.54$ и $E_{c}{-}0.42$ эВ, соответствующие переходу дивакансий из нейтрального в одно- и двухзарядовое состояния. Вместе с ними вводятся также собственные дефекты с акцепторным уровнем ${\sim E_{c}{-}0.4}$ эВ, отжигаемые до ${T=400}$ K, которые, по имеющимся данным, могут быть идентифицированы с Si$-$Р6-центром.



© МИАН, 2026