Физика и техника полупроводников,
1983, том 17, выпуск 11,страницы 1963–1965(Mi phts2585)
Положение акцепторных уровней дивакансии в запрещенной зоне
$n$-кремния, облученного протонами с энергией
6.3 МэВ
Б. В. Шемаев
Аннотация:
Из анализа изменений температурных зависимостей
постоянной Холла при облучении $n$-кремния протонами с энергией 6.3 МэВ
и данных изохронного отжига установлено, что вводимые с высокой интенсивностью
первичные дивакансии имеют акцепторные уровни $E_{c}{-}0.54$ и
$E_{c}{-}0.42$ эВ, соответствующие переходу дивакансий из нейтрального
в одно- и двухзарядовое состояния. Вместе с ними вводятся также
собственные дефекты с акцепторным уровнем ${\sim E_{c}{-}0.4}$ эВ,
отжигаемые до ${T=400}$ K, которые, по имеющимся данным, могут быть
идентифицированы с Si$-$Р6-центром.