Кластерный расчет электронного строения примеси бора в кремнии

Кластерный метод самосогласованного поля $X\alpha$-рассеянных волн применен для расчета электронного строения примеси замещения бора в кремнии. Результат вычислений хорошо согласуется с данными электрических и оптических измерений энергии активации основного состояния этой примеси, что свидетельствует о применимости кластерного подхода к расчету относительно мелких примесных уровней в полупроводниках. Расчет показал, что волновая функция примесного уровня в заметной степени локализована на атоме примеси. Рассмотрены свойства потенциала, создаваемого примесью, и распределение заряда в ближней к ней области пространства. Сопоставлены локальные парциальные плотности состояний в центральной сфере для кластеров чистого кремния, моновакансии и примеси бора в нем. На этой основе рассмотрены возможности исследований электронного строения точечных дефектов в кремнии методами рентгеновской и рентгеноэлектронной спектроскопии. Экспериментальные данные по гидрогенизированному аморфному Si и примесям атомов V группы в нем соответствуют теоретическим предположениям.