Физика и техника полупроводников,
1983, том 17, выпуск 11,страницы 2055–2062(Mi phts2604)
Положительное магнитосопротивление в области прыжковой проводимости
с переменной длиной прыжка
Б. И. Шкловский
Аннотация:
Исследуется влияние рассеяния туннелирующего
электрона на поведение локализованных волновых функций в магнитном поле
на больших расстояниях от центра локализации. Показано, что рассеяние
приводит к универсальному закону спада ${\psi\sim\exp (-r/b)}$.
Найдены значения длины $b$ во всем интервале магнитных полей и с их помощью
изучена полевая зависимость магнитосопротивления в области прыжковой
проводимости с переменной длиной прыжка. Эта же программа выполнена для
случая двумерной системы примесей. В трехмерном случае обсуждаются
асимптотическое поведение волновых функций и
магнитосопротивление вблизи перехода металл–диэлектрик.