RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 11, страницы 2055–2062 (Mi phts2604)

Положительное магнитосопротивление в области прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка

Б. И. Шкловский


Аннотация: Исследуется влияние рассеяния туннелирующего электрона на поведение локализованных волновых функций в магнитном поле на больших расстояниях от центра локализации. Показано, что рассеяние приводит к универсальному закону спада ${\psi\sim\exp (-r/b)}$. Найдены значения длины $b$ во всем интервале магнитных полей и с их помощью изучена полевая зависимость магнитосопротивления в области прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка. Эта же программа выполнена для случая двумерной системы примесей.
В трехмерном случае обсуждаются асимптотическое поведение волновых функций и магнитосопротивление вблизи перехода металл–диэлектрик.



© МИАН, 2026