Проводимость слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ в сильных электрических полях

Изучено влияние сильных электрических полей на проводимость слоев толщиной 0.5–1 мкм халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$, который используется для ячеек фазовой памяти. Установлено, что в сильных полях проявляются зависимость тока $I$ от напряжения $U$ вида $I\propto U^n$ с показателем степени $n\approx$ 2, связанная с токами, ограниченными пространственным зарядом, и зависимость проводимости $\sigma$ от поля $F$ вида $\sigma=\sigma_0\exp(F/F_0)$, где $F_0$ = 6 $\cdot$ 10$^4$ B $\cdot$ см$^{-1}$, обусловленная ионизацией локальных центров. Определенное из величины токов значение подвижности составляет 10$^{-3}$–10$^{-2}$ см$^2$/B $\cdot$ c.