Модели масштабирования электрических свойств фото- и бета-преобразователей с наногетеропереходами
М. В. Долгополов, М. В. Елисов, С. А. Раджапов, А. С. Чипура

Эта публикация цитируется в следующих статьяx:

1. М. В. Долгополов, М. В. Елисов, С. А. Раджапов, И. Р. Рахманкулов, А. С. Чипура, “Моделирование полупроводниковых гетероструктур для преобразователей энергии и датчиков”, Вестн. СамУ. Естественнонаучн. сер., 30:1 (2024), 64–81    
2. М. В. Долгополов, А. С. Чипура, “Моделирование бетавольтаического элемента на наногетеропереходах GaN и GaP на подложках Si и 3С-SiC/Si”, Вестн. СамУ. Естественнонаучн. сер., 29:4 (2023), 133–142    
3. М. В. Елисов, “Самоорганизационная динамика концентрации носителей зарядов в полупроводниках при их инжекции”, Известия вузов. ПНД, 31:5 (2023), 622–627    
4. V. Gurskaya, M. V. Dolgopolov, M. V. Elisov, V. V. Radenko, S. A. Radzhapov, “Combined Scaling of Nanochip Generators for Betavoltaics”, Phys. Part. Nuclei Lett., 20:5 (2023), 1088  
5. М. В. Долгополов, А. С. Чипура, И. А. Шишкин, “Идентификация и экстракция параметров фотобетаэлементов экспериментальными данными”, Comp. nanotechnol., 10:3 (2023), 144–160     [M. V. Dolgopolov, A. S. Chipura, I. A. Shishkin, “Identification and extraction of electrophysical parameters for solar cell models by experimental data”, Comp. nanotechnol., 10:3 (2023), 144–160    ]
6. М. В. Долгополов, М. В. Елисов, С. А. Раджапов, В. И. Чепурнов, А. С. Чипура, “КПД активированных наногетеропереходов на подложках кремния и карбида кремния”, Comp. nanotechnol., 10:4 (2023), 91–102     [M. V. Dolgopolov, M. V. Elisov, S. A. Radzhapov, V. I. Chepurnov, A. S. Chipura, “Efficiency of activated nano-heterojunctions on silicon and silicon carbide substrates”, Comp. nanotechnol., 10:4 (2023), 91–102    ]
7. А. В. Гурская, М. В. Долгополов, М. В. Елисов, В. В. Раденко, С. А. Раджапов, “Комбинированное масштабирование наночипов-генераторов для бетавольтаики”, Письма в журнал Физика элементарных частиц и атомного ядра, 20:5(250) (2023), 1230-1237