А.В. Федотов, “ЭФФЕКТ АУТДИФФУЗИИ ПРИМЕСИ ИЗ ПРИПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ ПОЛУПРОВОДНИКА ПРИ МОДЕЛИРОВАНИИ В TCAD ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В СРЕДЕ, СОДЕРЖАЩЕЙ КИСЛОРОД”, Nanoindustry Russia, 18:11s (2025), 855
I. E. Tyschenko, E. V. Spesivtsev, A. A. Shklyaev, V. P. Popov, “Structural Changes in Nanometer-Thick Silicon-on-Insulator Films During High-Temperature Annealing”, Semiconductors, 56:3 (2022), 223
М. У. Каланов, А. В. Хугаев, “Фазовый переход $\alpha$–$\beta$ в примесной фазе монокристалла кремния SiO$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 22–25; M. U. Kalanov, A. V. Khugaev, “$\alpha$–$\beta$ phase transition in the impurity phase of a SiO$_2$ single crystal”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 349–352
