RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Наносистемы: физика, химия, математика

Наносистемы: физика, химия, математика, 2020, том 11, выпуск 3, страницы 301–306 (Mi nano527)

Negative differential resistance in gate all-around spin field effect transistors
G. F. A. Malik, M. A. Kharadi, F. A. Khanday, Kh. A. Shah, N. Parveen

Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
  1. Raheleh Abbasi, Vahid Jamshidi, “SBCT-NoC: Ultra Low-Power and Reliable Simultaneous Bi-Directional Current-Mode Transceiver for Network-on-Chip Interconnects”, IEEE Trans. Nanotechnology, 22 (2023), 777  crossref
  2. Gul Faroz Ahmad Malik, Mubashir Ahmad, Farooq Ahmad Khanday, Nusrat Parveen, 2020 IEEE VLSI DEVICE CIRCUIT AND SYSTEM (VLSI DCS), 2020, 440  crossref
  3. Mubashir A. Kharadi, Gul Faroz A. Malik, Farooq A. Khanday, Khurshed A. Shah, “Hydrogenated silicene based magnetic junction with improved tunneling magnetoresistance and spin-filtering efficiency”, Physics Letters A, 384:32 (2020), 126826  crossref
  4. Mubashir A. Kharadi, Gul Faroz A. Malik, Farooq A. Khanday, Khurshed A. Shah, Sparsh Mittal, Brajesh Kumar Kaushik, “Review—Silicene: From Material to Device Applications”, ECS J. Solid State Sci. Technol., 9:11 (2020), 115031  crossref


© МИАН, 2025