Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, H.-W. Hübers, В. И. Гавриленко

Эта публикация цитируется в следующих статьяx:

1. М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, “Расчет резонансных состояний кулоновских акцепторов в бесщелевых полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 391–396    ; M. S. Zholudev, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, “Calculation of Coulomb acceptor resonant states in zero-gap semiconductors”, Semiconductors, 55:6 (2021), 537–541    
2. Д. В. Козлов, Т. А. Уаман Светикова, А. В. Иконников, В. В. Румянцев, А. А. Разова, М. С. Жолудев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe”, Письма в ЖЭТФ, 113:6 (2021), 399–405        ; D. V. Kozlov, T. A. Uaman Svetikova, A. V. Ikonnikov, V. V. Rumyantsev, A. A. Razova, M. S. Zholudev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Photothermal ionization spectroscopy of mercury vacancies in HgCdTe epitaxial films”, JETP Letters, 113:6 (2021), 402–408    
3. М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, “Расчет температурной зависимости энергии состояний кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 861–868    ; M. S. Zholudev, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, “Calculation of the temperature dependence of the Coulomb-acceptor state energy in a narrow-gap HgCdTe solid solution”, Semiconductors, 55:12 (2021), 907–913    
4. М. С. Жолудев, Д. В. Козлов, Н. С. Куликов, А. А. Разова, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Расчет волновых функций резонансных состояний акцепторов в узкозонных соединениях CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 695–699    ; M. S. Zholudev, D. V. Kozlov, N. S. Kulikov, A. A. Razova, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Calculation of wave functions of resonant acceptor states in narrow-gap CdHgTe compounds”, Semiconductors, 54:8 (2020), 827–831