Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPAsN и InGaPN
А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров

Эта публикация цитируется в следующих статьяx:

1. Sardor Donaev, Ganjimurod Shirinov, Baltokhodja Umirzakov, Burkhan Donayev, Shenghao Wang, “Effect of Low-Energy Implantation of In+ Ions on the Composition and Electronic Structure of Single-Crystal GaP(111)”, Coatings, 14:10 (2024), 1231  
2. S Gagui, H Meradji, S Ghemid, Y Megdoud, B Zaidi, B Ul Haq, R Ahmed, B Hadjoudja, B Chouial, “A study of the physical properties of GaN, GaP and their mixed ternary alloys for the applications in optoelectronics devices”, Bull Mater Sci, 46:2 (2023)  
3. A A Lazarenko, E V Nikitina, E V Pirogov, A S Gudovskikh, A I Baranov, A M Mizerov, M S Sobolev, “Creation of effective sources of white radiation based on GaP(As,N) on silicon substrates”, J. Phys.: Conf. Ser., 2227:1 (2022), 012021  
4. Artem I. Baranov, Alexander S. Gudovskikh, Anton Yu. Egorov, Dmitry A. Kudryashov, Sylvain Le Gall, Jean-Paul Kleider, “Defect properties of solar cells with layers of GaP based dilute nitrides grown by molecular beam epitaxy”, Journal of Applied Physics, 128:2 (2020)  
5. A Lazarenko, E Pirogov, M Sobolev, A Bukatin, E Nikitina, “Raman measurements of dilute nitride alloys GaP(As)N grown on GaP substrates”, J. Phys.: Conf. Ser., 741 (2016), 012005  
6. М. С. Соболев, А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. С. Гудовских, А. Ю. Егоров, “Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 569–572  ; M. S. Sobolev, A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, A. S. Gudovskikh, A. Yu. Egorov, “MBE growth of GaP on a Si substrate”, Semiconductors, 49:4 (2015), 559–562    
7. А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, М. С. Соболев, Е. В. Пирогов, Д. В. Денисов, А. Ю. Егоров, “Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 489–493  ; A. Lazarenko, E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, E. V. Pirogov, D. V. Denisov, A. Yu. Egorov, “Photoluminescence of heterostructures with GaP$_{1-x}$N$_x$ and GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$ layers grown on GaP and Si substrates by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:4 (2015), 479–482