RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики

Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 2, страницы 49–51 (Mi pjtf4888)

Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения
А. С. Гудовских, Д. А. Кудряшов, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов

Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
  1. Alina Maksimova, Alexander Uvarov, Demid Kirilenko, Artem Baranov, Ekaterina Vyacheslavova, Alexander Gudovskikh, Jean-Paul Kleider, “Trimethylboron as a precursor for boron phosphide plasma deposition at low temperature”, Journal of Vacuum Science & Technology A, 43:1 (2025)  crossref
  2. Tianlong Shi, Wei Yan, Zicheng Zhang, Lan Meng, Chunsheng Liu, Xiaohong Yan, “Monolayer BP: A Promising Photocatalyst for Water Splitting with High Carrier Mobility”, Catal Lett, 154:1 (2024), 42  crossref
  3. M. K. Bakhadyrkhanov, Z. T. Kenzhaev, S. V. Koveshnikov, A. A. Usmonov, G. Kh. Mavlonov, “Formation of Complexes of Phosphorus and Boron Impurity Atoms in Silicon”, Inorg Mater, 58:1 (2022), 1  crossref
  4. Alina A. Maksimova, Alexander V. Uvarov, Artem I. Baranov, Alexander S. Gudovskikh, Dmitri A. Kudryashov, Ekaterina A. Vyacheslavova, Ivan A. Morozov, Sylvain Le Gall, Jean-Paul Kleider, “Investigation of Plasma Deposited Boron Phosphide and Its Contact to Silicon”, ACS Appl. Energy Mater., 5:5 (2022), 5367  crossref
  5. S Y Kiyanitsyn, A S Gudovskih, “Computer simulations of solar cells based on silicon/boron phosphide selective contacts”, J. Phys.: Conf. Ser., 2086:1 (2021), 012087  crossref
  6. A A Maksimova, A I Baranov, A V Uvarov, D A Kudryashov, A S Gudovskikh, “Investigation of defects in structures based on BP/Si heterojunction”, J. Phys.: Conf. Ser., 2103:1 (2021), 012088  crossref


© МИАН, 2026