RUS  ENG
Full version
JOURNALS // Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki

Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 2015, Volume 41, Issue 5, Pages 97–102 (Mi pjtf7655)

Voltage effect on the sensitivity of nanocrystalline indium oxide to nitrogen dioxide under ultraviolet irradiation
A. S. Ilyin, N. P. Fantina, M. N. Martyshov, P. A. Forsh, A. S. Vorontsov, M. N. Rumyantseva, A. M. Gaskov, P. K. Kashkarov

This publication is cited in the following articles:
  1. Alexander S. Ilin, Mikhail N. Martyshov, Dmitrii V. Gusev, Daniil M. Rusakov, Daria A. Nazarovskaia, Pavel A. Domnin, Mengyuan Wang, Ilia I. Tsiniaikin, Kirill A. Gonchar, Svetlana A. Ermolaeva, Liubov A. Osminkina, Pavel A. Forsh, “Resistive Method for Bacterial Detection Employing a Silicon Nanowire Electrical Chip”, Biotech & Bioengineering, 122:6 (2025), 1554  crossref
  2. A. S. Ilin, P. A. Forsh, M. I. Ikim, A. V. Koroleva, M. N. Martyshov, L. I. Trakhtenberg, P. K. Kashkarov, IFMBE Proceedings, 77, 4th International Conference on Nanotechnologies and Biomedical Engineering, 2020, 405  crossref
  3. A. S. Ilin, V. M. Gololobov, E. A. Forsh, P. A. Forsh, P. K. Kashkarov, “Calculation of the grain potential barrier in the poly- and nanocrystalline semiconductors”, Izv. vysš. učebn. zaved., Mater. èlektron. teh., 20:2 (2019), 122  crossref
  4. A. S. Ilin, V. M. Gololobov, E. A. Forsh, P. A. Forsh, P. K. Kashkarov, “Prediction of Potential Barrier at Crystallite Boundaries in Poly- and Nanocrystalline Semiconductors”, Russ Microelectron, 48:8 (2019), 576  crossref
  5. T. V. Belysheva, M. I. Ikim, A. S. Il'in, P. K. Kashkarov, M. N. Martyshov, Y. Paltiel, L. I. Trakhtenberg, N. P. Fantina, P. A. Forsh, “Features of the electrical and photoelectrical properties of nanocrystalline indium and zinc oxide films”, Russ. J. Phys. Chem. B, 10:5 (2016), 810  crossref


© Steklov Math. Inst. of RAS, 2026