RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Теплофизика высоких температур

ТВТ, 2021, том 59, выпуск 6, страницы 956–959 (Mi tvt11571)

Измерения коэффициента пропускания кремния под воздействием излучения интенсивных ударных волн в ксеноне
М. И. Кулиш, В. Б. Минцев, С. В. Дудин, Д. Н. Николаев, И. В. Ломоносов, В. Е. Фортов

Список литературы

1. Toyoda Y., Elias L.R., Yen W.M., “Time-resolved Reflectance and Transmittance Measurements of Laser-induced Free Carriers in Germanium, Silicon, and Zinc Selenide at $10.6~\mu$m”, Appl. Opt., 46:5 (2007), 785  crossref  scopus
2. Alcock A.J., Corkum P.B., “Ultra-fast Switching of Infrared Radiation by Laser-produced Carriers in Semiconductors”, Can. J. Phys., 57:9 (1979), 1280  crossref  scopus
3. Минцев В.Б., Фортов В.Е., “Взрывные ударные трубы”, ТВТ, 20:4 (1982), 745  mathnet
4. Schinke C., Peest P.C., Schmidt J. et al., “Uncertainty Analysis for the Coefficient of Band-to-band Absorption of Crystalline Silicon”, AIP Adv., 5:6 (2015), 67168  crossref  scopus
5. Зеегер К., Физика полупроводников, Мир, М., 1977, 616 с.
6. Цикулин М.А., Попов Е.Г., Излучательные свойства ударных волн в газах, Наука, М., 1977, 176 с.
7. Mintsev V.B., Zaporoghets Yu.B., “Reflectivity of Dense Plasma”, Contrib. Plasma Phys., 29:4/5 (1989), 493  crossref  scopus


© МИАН, 2025