Влияние добавок $\mathrm{Ar}$ и $\mathrm{He}$ на параметры и состав плазмы $\mathrm{HCl}$
А. М. Ефремов, А. В. Юдина, В. И. Светцов

Список литературы
1.	Айнспрук Н., Браун Д. (ред.), Плазменная технология в производстве СБИС, Мир, М., 1987, 420 с.
2.	Wolf S., Tauber R. N., Silicon Processing for the VLSI Era, v. 1, Process Technology, Lattice Press, N. Y., 2000, 890 pp.
3.	Efremov A. M., Svettsov V. I., Sitanov D. V., Balashov D. I., “Kinetics and Mechanisms of $\mathrm{Cl_2}$ or $\mathrm{HCl}$ Plasma Etching of Copper”, Thin Solid Films, 516 (2008), 4020
4.	Ефремов А. М., Пивоварёнок С. А., Светцов В. И., “Параметры плазмы и механизмы травления металлов и полупроводников в хлороводороде”, Микроэлектроника, 38:3 (2009), 163
5.	Fuller N. C. M., Donnelly V. M., Herman I. P., “Electron Temperatures of Inductively Coupled $\mathrm{Cl}_2$-$\mathrm{Ar}$ Plasmas”, J. Vac. Sci. Technol. A, 20 (2002), 170
6.	Efremov A. M., Kim G. H., Kim J. G., Bogomolov A. V., Kim C. I., “On the Applicability of Self-Consistent Global Model for the Characterization of $\mathrm{Cl}_2/\mathrm{Ar}$ Inductively Coupled Plasma”, Microelectronic Engineering, 84 (2007), 136
7.	Kim M., Min N.-K., Yun S. J., Lee H. W., Efremov A., Kwon K.-H., “Effect of Gas Mixing Ratio on Etch Behavior of $\mathrm{ZrO_2}$ Thin Films in $\mathrm{BCl_3/He}$ Inductively Coupled Plasma”, J. Vac. Sci. Technol. A, 26 (2008), 344
8.	Рохлин Г. Н., Разрядные источники света, Энергоагромиздат, М., 1991, 720 с.
9.	Ефремов А. М., Светцов В. И., Балашов Д. И., “Математическое моделирование разряда в хлороводороде”, Известия Вузов. Химия и хим. технология, 46:3 (2003), 118
10.	D. R. Lide (ed.), Handbook on Physics and Chemistry, CRC Press, New-York, 2003–2004
11.	Lieberman M. A., Lichtenberg A. J., Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, John Wiley & Sons Inc., N. Y., 1994, 360 pp.
12.	Lee C., Lieberman M. A., “Global Model of $\mathrm{Ar}$, $\mathrm{O_2}$, $\mathrm{Cl_2}$, and $\mathrm{Ar/O_2}$ High-Density Plasma Discharges”, J. Vac. Sci. Technol. A, 13 (1995), 368
13.	Chantry P. J., “A Simple Formula for Diffusion Calculations Involving Wall Reflection and Low Density”, J. Appl. Phys., 62 (1987), 1141
14.	Ефремов А. М., Светцов В. И., “Вероятности гибели атомов и концентрации активных частиц в плазме хлора”, Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология, 47:2 (2004), 104
15.	Бровикова И. Н., Галиаскаров Э. Г., Рыбкин В. В., Бессараб А. Б., “Кинетические характеристики образования и гибели атомов водорода в положительном столбе тлеющего разряда в $\mathrm{H}_2$”, ТВТ, 35:5 (1998), 706
16.	Morgan W. L., “A Critical Evaluation of Low Energy Electron Impact Cross Sections for Plasma Processing Modeling. I: $\mathrm{Cl_2}$, $\mathrm{F_2}$ and $\mathrm{HCl}$”, Plasma Chem. Plasma Proc., 12 (1992), 449–462
17.	Efremov A. M., Svetsov V. I., Balashov D. I., “Compilation of Cross Section Data of Elementary Processes of $\mathrm{HCl}$ Applicable for Plasma Modeling”, Contrib. Plasma Phys., 39 (1999), 247–251
18.	Куприяновская А. П., Рыбкин В. В., Соколова Ю. А., Тростин А. Н., Компиляция данных по сечениям элементарных процессов для расчетов коэффициентов скоростей процессов в неравновесных системах, Деп. в ВИНИТИ, № 921-В90, Черкассы, 1990, 60 с.
19.	Гершензон Ю. М., Розенштейн В. Б., Уманский С. Я., “Гетерогенная релаксация колебательной энергии молекул”, Химия плазмы, 4, Атомиздат, М., 1977, 61
20.	Ефремов А. М., Светцов В. И., “Параметры плазмы и кинетика образования и гибели активных частиц при разряде в $\mathrm{HCl}$”, ТВТ, 44:2 (2006), 195
21.	Григорьев И. С., Мейлихов Е. З. (ред.), Физические величины, Энергоатомиздат, М., 1991, 1232 с.