|
Микроволновые усилители мощности на AlGaN/GaN-транзисторах с двумерным электронным газом О. Г. Вендик, И. Б. Вендик, П. А. Туральчук, Я. М. Парнес, М. Д. Парнес
|
1 |
|
Керамический нанокомпозит с повышенной твердостью на основе корунда, модифицированного углеродом О. В. Пономарев, М. Ю. Попов, Е. В. Тюкалова, В. Д. Бланк
|
9 |
|
Люминесценция квантовых точек CdSe вблизи слоя наночастиц серебра, ионно-синтезированных в сапфире Ю. Г. Галяметдинов, Р. Р. Шамилов, В. И. Нуждин, В. Ф. Валеев, А. Л. Степанов
|
15 |
|
Воздействие внешних условий на электронные свойства однослойных углеродных нанотрубок С. Д. Шандаков, М. В. Ломакин, А. Г. Насибулин
|
23 |
|
Буферные слои аморфного углерода для отделения свободных пленок нитрида галлия А. С. Алтахов, Р. И. Горбунов, Л. А. Кашарина, Ф. Е. Латышев, В. А. Тарала, Ю. Г. Шретер
|
32 |
|
Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, В. В. Лундин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, Д. С. Полоскин, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, В. В. Козловский
|
39 |
|
Визуализация 1.908 $\mu$m излучения Tm : YLF-лазера керамикой на основе PbF$_{2}$, легированной ионами Ho$^{3+}$ А. П. Савикин, А. С. Егоров, А. В. Будруев, И. Ю. Перунин, И. А. Гришин
|
47 |
|
Усиление сигналов комбинационного рассеяния света газовой среды вблизи поверхности голографической алюминиевой дифракционной решетки Д. В. Петров, Д. О. Сединкин, А. Р. Зарипов
|
55 |
|
Резонансное туннелирование электронов и связанные с ним зарядовые явления в наноструктурах металл–окисел–$p^{+}$-кремний М. И. Векслер, Г. Г. Карева, Ю. Ю. Илларионов, И. В. Грехов
|
62 |
|
Коэффициенты преобразования длинноволновых возмущений набегающего потока в пульсации давления на поверхности клина в сверхзвуковом потоке И. С. Цырюльников, С. В. Кириловский, Т. В. Поплавская
|
70 |