|
Фотоэлектрические явления в $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при
одноосной деформации
S. G. Gassan-zade, E. A. Sal'kov, G. A. Shepelskii
|
1913 |
|
|
Теория циклотронного резонанса в слоистых кристаллах
B. A. Lukiyanets, V. V. Boichuk
|
1918 |
|
|
« Горячее» ионное легирование $p$-InSb серой
(свойства $n{-}p$-переходов)
S. V. Belotelov, A. B. Korshunov, V. B. Smirnitskiĭ, A. N. Solyakov, S. A. Shesterikov
|
1923 |
|
|
Эффект анизотропии широкого компонента углового распределения
аннигиляционного излучения в германии и кремнии
P. U. Arifov, N. Yu. Arutyunov, V. Yu. Trashchakov, Z. R. Abdurasulev
|
1926 |
|
|
Светящиеся точки и пробой в структуре транзисторов на GaAs
B. S. Kerner, N. A. Kozlov, A. M. Nechaev, V. F. Sinkevich
|
1931 |
|
|
Влияние одноосной деформации на свойства карбид-кремниевых диодов
Шоттки
L. A. Kosyachenko, E. F. Kukhto, V. M. Sklyarchuk
|
1935 |
|
|
Резонансное поглощение интенсивного света в полупроводниках
с непрямой зонной структурой
L. I. Glazman, D. Ya. Buntser
|
1938 |
|
|
Замечание о собственной проводимости бесщелевых полупроводников
G. I. Kharus, I. M. Tsidil'kovskii, N. G. Shelushinina
|
1944 |
|
|
Энергетический спектр твердых растворов PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$,
легированных примесью таллия
A. N. Weis, V. I. Kaidanov, S. A. Nemov
|
1948 |
|
|
Время жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных
эпитаксиальных слоях GaAs
B. I. Grigorev, V. G. Danl'chenko, V. I. Korol'kov
|
1953 |
|
|
Вольтамперные характеристики
$p{-}i{-}n$-диода при сверхвысоких уровнях инжекции
A. A. Abramov
|
1957 |
|
|
Положение акцепторных уровней дивакансии в запрещенной зоне
$n$-кремния, облученного протонами с энергией
6.3 МэВ
B. V. Shemaev
|
1963 |
|
|
Примесный фототок в условиях термической перезарядки глубокого
центра
B. A. Bobylev, A. F. Kravchenko
|
1966 |
|
|
Подвижность электронов в сильно компенсированном
$n$-InSb
L. B. Litvak-Gorskaya, E. Z. Shapiro
|
1970 |
|
|
Диамагнетизм и парамагнетизм Ван-Флека в полупроводниках и ионных
кристаллах
L. N. Blinov
|
1975 |
|
|
Скопления электрически активных центров в термообработанном кремнии,
выращенном по методу Чохральского
N. T. Bagraev, N. A. Vitovskiy, L. S. Vlasenko, T. V. Mashovets, O. Rakhimov
|
1979 |
|
|
О распределении пар Френкеля, возникающих в германии
при облучении, по расстояниям между их компонентами
N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets
|
1985 |
|
|
Усиление фототока в диодных структурах Au/$n$-InP$\langle\text{Fe}\rangle$
G. G. Kovalevskaya, S. V. Slobodchikov, G. M. Filaretova
|
1991 |
|
|
Диффузионные приповерхностные примесные профили
в полупроводниках
I. Постановка задачи. Последовательная диффузия
V. I. Fistul, M. I. Sinder
|
1995 |
|
|
Диффузионные приповерхностные примесные профили
в полупроводниках
II. Одновременная и взаимная диффузия
V. I. Fistul, M. I. Sinder
|
2003 |
|
|
Модуляция проводимости полупроводника при инжекции носителей заряда
из неидеального $p{-}n$-перехода
A. X. Avagyan, I. N. Gorbatyi
|
2009 |
|
|
Исследование катодолюминесценции твердых растворов
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As переменного состава
N. K. Dryapiko, G. P. Peka, S. M. Chumak
|
2013 |
|
|
Высокочастотные голографические дифракционные решетки
на поверхности монокристаллов CdS
V. A. Sterligov, O. V. Snitko
|
2018 |
|
|
Особенности дефектообразования в полупроводниках
при изовалентном легировании
E. V. Soloveva, M. G. Mil'vidskii
|
2022 |
|
|
Кластерный расчет электронного строения примеси бора в кремнии
M. A. Bunin, Yu. A. Matveev, N. A. Petrov, Y. V. Sukhetskii
|
2025 |
|
|
Разогрев электронно-дырочной плазмы в двойных гетероструктурах
I. A. Lubashevsky, V. I. Ryzhii
|
2031 |
|
|
Исследование фотоэффектов в кремнии, легированном селеном
D. A. Vakhabov, A. S. Zakirov, A. T. Mamadalimov, P. Kh. Khabibullaev
|
2035 |
|
|
Поляризация и ширина линии комбинационного рассеяния с переворотом
спина на мелком доноре в магнитосмешанном полупроводнике
Yu. G. Semenov, S. M. Ryabchenko
|
2040 |
|
|
Параметры центра, ответственного за долговременную релаксацию емкости
в светодиодах GaP$\langle\text{Zn,\,O}\rangle$
V. B. Shikin, D. A. Dmitrieva, V. G. Sidorov, E. A. Tvirova, Yu. K. Shalabutov, S. N. Shlikhtov
|
2046 |
|
|
Расщепление компонент тонкой структуры линий в фотоэлектрических
спектрах эпитаксиальных слоев GaAs в магнитном поле
V. Yu. Ivanov, T. M. Lifschitz
|
2050 |
|
|
Положительное магнитосопротивление в области прыжковой проводимости
с переменной длиной прыжка
B. I. Shklovskii
|
2055 |
|
|
Short Notes
|
|
|
Исследование края поглощения классических периодических структур на
основе кремния
V. N. Gusyatnikov, V. A. Ivanchenko, V. S. Karakhtanov, B. N. Klimov, V. F. Patrikeev
|
2063 |
|
|
Размерное квантование в обогащенных слоях МОП структур
на основе бесщелевого Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te:
осцилляции емкости в квантующих магнитных полях
T. I. Deryabina, L. P. Zverev, V. F. Radantsev
|
2065 |
|
|
Температурный сдвиг экситонной полосы и деформационные эффекты
в слоистых кристаллах TlGaS$_{2}$
S. G. Abdullaeva, N. A. Abdullaev, G. L. Belenkii, N. T. Mamedov, R. A. Suleimanov
|
2068 |
|
|
Электродвижущая сила, обусловленная динамическим деформированием
сложных полупроводниковых структур
Z. N. Bartashevich, Yu. K. Pozhela, V. S. Filipavichyus
|
2070 |
|
|
Новый тип переноса электронов в аморфном кремнии
A. A. Andreev, O. I. Konkov, B. K. Tkachenko, V. Y. Florinskii
|
2072 |
|
|
Длина когерентности носителей заряда с различными законами дисперсии
в полупроводниковой области слабо связанных сверхпроводящих структур
сверхпроводник–полупроводник–сверхпроводник
V. N. Alfeyev, N. I. Gritsenko
|
2075 |
|
|
Измерение степени компенсации в $p{-}n$-структурах
GaAs$\langle\text{Si}\rangle$ фотолюминесцентным методом
V. F. Kovalenko, V. A. Krasnov
|
2077 |
|
|
Домен сильного поля в инжектированной электронно-дырочной плазме
германия
V. N. Dobrovol'skii, S. P. Pavlyuk, L. V. Ischuk
|
2079 |
|
|
Положительное кристаллическое расщепление в CuInSe$_{2}$
G. K. Averkieva, G. A. Medvedkin, A. A. Yakovenko
|
2081 |
|
|
Продольный фотоэффект в диодах Шоттки
Au/$n$-InP с промежуточным слоем
M. M. Meredov, S. V. Slobodchikov, V. G. Smirnov, G. M. Filaretova
|
2084 |
|
|
Новая серия краевого излучения CdS в электрическом поле
V. F. Grin, M. A. Rizakhanov, M. K. Sheĭnkman, G. A. Shepelskii
|
2086 |
|
|
Энергетические уровни пар фосфора и бора в аморфном кремнии
A. M. Grekhov, V. M. Gunko, G. M. Klapchenko, Yu. P. Tsyashchenko
|
2088 |
|
|
Электрические и оптические свойства пористого кремния
D. I. Bilenko, N. P. Abanshin, Y. N. Galishnikova, G. E. Markelova, I. B. Mysenko, E. I. Khasina
|
2090 |
|
|
Влияние магнитного поля на ход ионизационных процессов,
обусловленных электронами верхних долин $c$-зоны в GaAs
Yu. V. Vorob'ev, E. V. Loktev, L. I. Filina, A. M. Tsyupa, M. K. Sheĭnkman
|
2093 |
|
|
Отрицательное магнитосопротивление кристаллов
Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Te
N. G. Gluzman, N. K. Lerinman, N. P. Gavaleshko, V. M. Frasunyak
|
2095 |
|
|
Об анизотропии подвижности дырок в теллуре
P. N. Gorlei, N. Ya. Kushnir
|
2097 |
|
|
Особенности фотоэффекта в варизонной структуре с потенциальным
барьером при фотонном переносе ННЗ
A. S. Volkov, B. G. Plyaskin, B. V. Tsarenkov, G. V. Tsarenkov
|
2098 |
|
|
Annotations of Deposited Papers
|
|
|
Аннотации депонированных статей
|
2101 |
|
|
From New Books Recieved by the Editor
|
|
|
Из новых книг, поступивших в Редакцию
|
2106 |
|
|
|
Памяти Анатолия Григорьевича Самойловича
|
2107 |
