|
Квантовый эффект Холла (обзор)
Э. И. Рашба, В. Б. Тимофеев
|
977 |
|
|
Исследование квантовых эффектов межэлектронного взаимодействия
в легированных кристаллах A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
Т. И. Воронина, О. В. Емельяненко, Т. С. Лагунова, Д. Д. Недеогло
|
1025 |
|
|
Горячие электроны в полупроводниках в условиях квантового размерного
эффекта (КРЭ)
С. Д. Бенеславский, В. А. Коробов
|
1030 |
|
|
Анизотропия оптического отражения кубических полупроводников,
обусловленная поверхностным изгибом зон
В. Л. Берковиц, И. В. Макаренко, Т. А. Минашвили, В. И. Сафаров
|
1037 |
|
|
Релаксация неравновесного поверхностного потенциала МДП структур
в режиме постоянного заряда
В. А. Гуртов, О. Н. Ивашенков, Г. Л. Курышев, В. Г. Половинкин
|
1042 |
|
|
Микрокатодолюминесценция двойных гетероструктур
С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, А. В. Чудинов, А. А. Хусаинов
|
1049 |
|
|
Образование и термическая стабильность радиационных дефектов
в $p$-кремнии, облученном альфа-частицами
В. И. Губская, П. В. Кучинский, В. М. Ломако
|
1055 |
|
|
Исследование скорости распространения ультразвука в расплавах
полупроводниковых халькогенидов серебра
В. М. Глазов, А. С. Бурханов, К. Б. Нуров
|
1060 |
|
|
Неравновесные флуктуации температуры и концентрации носителей
в бесщелевых полупроводниках
А. А. Тарасенко, П. М. Томчук, А. А. Чумак
|
1064 |
|
|
Теория возбуждения рэлеевских волн при поглощении оптических
импульсов в полупроводниках
В. Э. Гусев, А. А. Карабутов
|
1070 |
|
|
Эффективность твердотельных источников излучения на основе объемных
эффектов в дырочном германии
Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов
|
1076 |
|
|
Температурные поправки к эффекту Холла и проводимости в сильно
легированном германии $n$-типа
А. Н. Ионов, М. Н. Матвеев, И. С. Шлимак
|
1083 |
|
|
Автоколебания при плазменном резонансе в узкозонных полупроводниках
П. Н. Шикторов
|
1089 |
|
|
Спин-зависимая рекомбинация и низкочастотная ЭПР спектроскопия
примесей и дефектов в кремнии
Л. С. Власенко, В. А. Храмцов
|
1093 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
О природе рекомбинационных центров в $p$-кремнии, облученном
$\gamma$-квантами
Л. С. Берман, В. Б. Воронков, М. Л. Кожух, К. Ш. Кушашвили, М. Г. Толстобров
|
1100 |
|
|
Влияние резонансного рассеяния носителей тока на кинетические
коэффициенты в отсутствие магнитного поля
В. И. Кайданов, Е. К. Иорданишвили, В. Н. Наумов, С. А. Немов, Ю. И. Равич
|
1102 |
|
|
Влияние ультразвука на гальваномагнитные эффекты
в $n$-(Cd, Hg)Te
П. И. Баранский, Р. М. Винецкий, О. П. Городничий, И. Н. Горбатюк, Я. М. Олих, И. М. Раренко
|
1104 |
|
|
Определение сдвиговой константы деформационного потенциала $\Theta_{u}$
в трансмутационно-легированных кристаллах кремния
Г. П. Гайдар, В. А. Гирий, В. Н. Ермаков, В. И. Шаховцов
|
1107 |
|
|
Анизотропия позитронной аннигиляции в монокристаллах
CdTe
В. Т. Адонкин, Г. Ю. Андерсен, И. Я. Дехтяр, В. В. Дякин, В. В. Коваль, К. Р. Курбанов, И. М. Раренко, С. Г. Сахарова, Р. Г. Федченко, Б. И. Хижняк
|
1110 |
|
|
Край поглощения твердых растворов PbTe$_{1-x}$S$_{x}$
и PbSe$_{1-x}$S$_{x}$
Ф. Э. Фараджев
|
1112 |
|
|
Электромодуляционные спектры высокоомного
GaAs с V
В. С. Вавилов, В. А. Морозова
|
1114 |
|
|
Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости
и люминесценции
HgGa$_{2}$Se$_{4}$
А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки
|
1116 |
|
|
Исследование координатного распределения радиационной температуры
в полупроводнике с токовым шнуром
А. В. Приходько, В. К. Таурас
|
1118 |
|
|
Особенности монополярной инжекции при наличии глубоких центров
с отрицательной хаббардовской энергией
Л. Е. Стыс
|
1120 |
|
|
О фотоэлектрическом усилении в биполярных фотопроводниках
с поверхностными состояниями
Л. Н. Неустроев, В. В. Осипов, О. Н. Панащенко
|
1122 |
|
|
О вкладе ЭДС Дембера в конденсаторную фотоэдс
Ф. С. Миронов, Ю. Ф. Новотоцкий-Власов
|
1125 |
|
|
Релаксация темнового и фототока в интеркалированных литием
монокристаллах TlGaSe$_{2}$
Г. Д. Гусейнов, Э. Ф. Багирзаде, Н. З. Гасанов, С. Н. Мустафаева
|
1127 |
|
|
Проводимость полупроводниковых пленок и проволок в условиях
квантового размерного эффекта
(КРЭ)
С. Д. Бенеславский, В. А. Коробов
|
1130 |
|
|
Смена системы энергетических уровней в запрещенной зоне как фактор,
контролирующий скорость реакций между заряженными дефектами
в полупроводниках
А. И. Баранов, А. В. Васильев, Л. С. Смирнов
|
1132 |
|
|
Влияние электронного облучения на фоточувствительность
Ge$\langle$Hg, Sb$\rangle$-структур с инжекционным усилением
Ш. Д. Курмашев, И. И. Чалая
|
1134 |
|
|
Концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс
увлечения в $n$-германии
Г. П. Гайдар, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко
|
1137 |
|
|
Эффект концентрационного увеличения резкости края поглощения в твердых
растворах PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$
Ф. Э. Фараджев
|
1140 |
|
|
Экранирование электрон-фононного взаимодействия в сильно
возбужденном селениде кадмия
Р. Балтрамеюнас, А. Жукаускас, Г. Тамулайтис
|
1141 |
|
|
Критика и библиография
|
|
|
Новые книги по полупроводникам
В. И. Козуб
|
1144 |
|
|
Рецензия на книгу В.Н. Добровольского, В.Г. Литовченко
«Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников»
А. Я. Шик
|
1148 |
|
|
Рецензия на монографию «Поверхностные поляритоны»
А. М. Бонч-Бруевич, М. Н. Либенсон
|
1149 |
