RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

1988, том 22, выпуск 11


Квантовые ямы, обусловленные неоднородным магнитным полем
П. П. Вильмс, М. В. Энтин
1905
Структура распределения горячих дырок германия в условиях стриминга
В. Я. Алешкин, Е. П. Додин, В. А. Козлов, И. М. Нефедов, Ю. А. Романов
1910
Спектральные характеристики светодиодов Au$-$ZnS
Н. В. Горбенко, М. А. Танатар, М. К. Шейнкман, И. А. Юрченко
1915
Оптические свойства MnIn$_{2}$Te$_{4}$ и MnGa$_{2}$Te$_{4}$
С. Марцинкявичюс, Г. Амбразявичюс, Р. Н. Бекимбетов, Г. А. Медведкин
1919
Циклотронная акустоэлектронная генерация в $n$-InSb в «бесстолкновительном» режиме взаимодействия
В. С. Веретин, Г. Д. Мансфельд
1924
Исследование электронных свойств соединения Bi$_{2}$Se$_{3}$ в твердом и жидком состояниях
В. М. Глазов, А. И. Фараджов
1929
Фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур InGaAsP/InP
М. В. Карачевцева, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко
1936
Исследование поглощения звука в жидком германии
В. М. Глазов, С. Г. Ким, Т. Сулейменов
1943
Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофазной эпитаксии
Л. В. Голубев, А. М. Крещук, С. В. Новиков, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев
1948
Вольтамперные характеристики слоев обогащения с горячими носителями тока
Ю. Г. Гуревич, О. Л. Машкевич, В. Б. Юрченко
1955
Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной имплантации Ar$^{+}$
В. В. Артамонов, М. Я. Валах, М. П. Лисица, В. Г. Литовченко, Б. Н. Романюк, И. В. Рудской, В. В. Стрельчук
1961
Энергетический спектр локализованных $D$-состояний в легированных образцах $a$-Si : Н
Л. А. Балагуров, Э. М. Омельяновский, К. К. Примбетов, М. Н. Стариков
1967
$N$-образность ВАХ кремниевых $p{-}n$-переходов в сильных СВЧ полях
А. И. Вейнгер
1972
Влияние локализованных состояний в барьере на флуктуационный туннельный ток через контакт металл–полупроводник
М. Э. Райх, И. М. Рузин, Б. И. Шкловский
1979
Растекание тока в фоточувствительной среде с примесной фотопроводимостью
Л. А. Винокуров, Б. И. Фукс
1986
Фотовольтаический эффект в структурах, содержащих сверхрешетки Ge$-$Ge$_{1-x}\text{Si}_{x}$
Л. К. Орлов, О. А. Кузнецов
1994
Электрические свойства кремниевых $p{-}n$-переходов в сильных СВЧ полях
Н. А. Аблязимова, А. И. Вейнгер, В. С. Питанов
2001
Рассеяние двумерных носителей тока на отдаленной кулоновской примеси
И. А. Ларкин
2008
Подавление динамического эффекта Бурштейна–Мосса оже-разогревом и безрезонаторная оптическая бистабильность в InGaAsP
В. Д. Пищалко, В. И. Толстихин
2014
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
С. М. Бадалян, И. Б. Левинсон
2019
Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой
О. В. Константинов, О. А. Мезрин
2025
Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs при термообработках
А. В. Картавых, Е. С. Юрова, М. Г. Мильвидский, С. П. Гришина, И. А. Ковальчук
2035
Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в кремнии по емкостным измерениям
В. М. Андреев, В. К. Еремин, Н. В. Строкан, Е. В. Шокина
2039
Особенности явления самокомпенсации в $\text{PbTe}\langle\text{Tl,Pb}_{\text{изб}}\rangle$
М. К. Житинская, В. И. Кайданов, С. А. Немов, Л. А. Афанасьева
2043
Многофотонное электропоглощение в полупроводниках с вырожденной валентной зоной
Б. С. Монозон, А. Н. Селезнева
2046
Свойства автосолитонов в «плотной» электронно-дырочной плазме
В. В. Гафийчук, Б. С. Кернер, В. В. Осипов, А. Г. Южанин
2051
Расчет зонной структуры германия с использованием фиктивных сфер
Е. С. Алексеев, Л. Б. Литинский, А. И. Лихтер
2059

Краткие сообщения
Атермическая роль скорости набора дозы в кинетике дефектообразования при имплантации ионов фосфора в кремний
А. П. Арзамасцев, А. Б. Данилин
2063
Влияние резонансных нейтронов на характеристики трансмутационно легированного германия
А. Г. Беда, Ф. М. Воробкало, В. В. Вайнберг, Л. И. Зарубин, И. М. Лазебник, В. В. Овчаров
2065
Особенности рассеяния дырок в синтетических алмазах в греющих электрических полях
П. И. Баранский, Д. В. Соколюк, В. И. Торишний, Г. В. Чипенко
2069
Эффективность образования фосфоросодержащих комплексов при электронном и $\gamma$-облучении кремния
П. Ф. Лугаков, Т. А. Лукашевич
2071
О проводимости макроскопически неоднородных полупроводниковых пленок вблизи порога протекания в наклонном магнитном поле
А. А. Снарский
2073
Эффект увлечения при трехфотонном поглощении света в кристаллах типа германия
Р. Я. Расулов
2077
Слабое поглощение миллиметровых волн и прыжковая проводимость в слабо легированном кремнии
М. Л. Городецкий, В. С. Ильченко, С. Э. Саава
2080
Об «очистке» арсенида галлия висмутом
Н. А. Якушева, К. С. Журавлев, О. А. Шегай
2083
О возможности обнаружения остаточных дефектов в ионно-легированных слоях кремния с помощью наблюдения диффузии имплантированных атомов натрия
В. М. Король
2086
Диффузия фосфора в профилированном кремнии, полученном способом А. В.  Степанова
К. П. Абдурахманов, М. Б. Закс, В. В. Касаткин, Г. С. Куликов, С. К. Першеев, К. Х. Ходжаев
2088
Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной потенциальной яме
А. А. Кальфа, А. Б. Пашковский
2090
Двойное модифицирование стеклообразного селенида мышьяка
В. Л. Аверьянов, Т. К. Звонарева, В. М. Любин, Н. В. Норцева, Б. В. Павлов, Ш. Ш. Сарсембинов, К. Д. Цэндин
2093
Прыжковый перенос фотовозбужденных носителей в тонких пленках неупорядоченных полупроводников
Н. В. Зыков
2095


© МИАН, 2026