|
Электронные свойства полупроводников
|
|
Особенности темновой проводимости селенида цинка
В. Я. Дегода, Г. П. Подуст
|
289 |
|
|
Магнитная восприимчивость кристаллов твердых растворов Bi$_{2-x}$Sb$_x$Te$_3$ (0 $<x\le$ 1) в области собственной проводимости
Н. П. Степанов, В. Ю. Наливкин
|
297 |
|
|
Влияние вакансионной катионодефектности на электрические и фотоэлектрические свойства твердого раствора Cu$_{1-x}$Zn$_x$InS$_2$
А. В. Новосад, В. В. Божко, Г. Е. Давидюк, О. В. Парасюк, О. Р. Герасимик, Н. Вайнорюс, А. Сакавичюс, В. Янонис, В. Кажукаускас
|
302 |
|
|
Влияние отжига в жидком кадмии на фотолюминесценцию поликристаллического CdTe, выращенного в неравновесных условиях
А. А. Пручкина, Н. С. Николаев, В. С. Кривобок, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, Ю. В. Клевков, С. А. Колосов
|
308 |
|
|
Плазменный резонанс в твердых растворах Pb$_{1-x}$Ag$_x$Te
М. К. Шаров
|
315 |
|
|
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
|
|
|
Interface recombination velocity measurement in SiO$_2$/Si
S. Ilahi, N. Yacoubi
|
318 |
|
|
Влияние фтора на электрофизические свойства границы раздела анодный оксид/InAs(111)A
М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Т. А. Левцова, О. Е. Терещенко
|
322 |
|
|
Эффект поля в тонких пленках полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда
И. С. Дубицкий, А. М. Яфясов
|
327 |
|
|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
|
|
|
Электрон-фононное взаимодействие в короткопериодических сверхрешетках (GaAs)$_m$(AlAs)$_n$ (001)
С. Н. Гриняев, Л. Н. Никитина, В. Г. Тютерев
|
334 |
|
|
Термостимулированное резонансное туннелирование в асимметричных системах двойных квантовых ям CdSe/ZnSe с самоорганизованными квантовыми точками
А. Н. Резницкий, А. А. Клочихин, М. В. Еременко
|
345 |
|
|
Особенности электрофизических свойств гетероструктур InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов в двумерном канале
Т. А. Комиссарова, А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, В. А. Соловьев, P. Paturi, Д. Л. Федоров, П. С. Копьев, С. В. Иванов
|
352 |
|
|
Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов
А. Д. Буравлев, Н. В. Сибирев, Е. П. Гильштейн, П. Н. Брунков, И. С. Мухин, M. Tchernycheva, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин
|
358 |
|
|
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
|
|
|
Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме
М. Г. Мынбаева, С. П. Лебедев, А. А. Лаврентьев, К. Д. Мынбаев, А. А. Головатенко, А. А. Лебедев, В. И. Николаев
|
364 |
|
|
Физика полупроводниковых приборов
|
|
|
Фотоэлектрические свойства инжекционного фотоприемника на основе твердых растворов соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
Ш. А. Мирсагатов, О. К. Атабоев, Б. Н. Заверюхин, Ж. Т. Назаров
|
369 |
|
|
Применение тонких пленок из наночастиц кремния для увеличения эффективности солнечных элементов
С. Г. Дорофеев, Н. Н. Кононов, В. М. Звероловлев, К. В. Зиновьев, В. Н. Суханов, Н. М. Суханов, Б. Г. Грибов
|
375 |
|
|
Оптимизация подвижности носителей заряда в люминесцентных слоях на основе $\beta$-дикетонатов европия гибридных светоизлучающих структур
М. А. Бочков, А. Г. Витухновский, И. В. Тайдаков, А. А. Ващенко, А. В. Кацаба, С. А. Амброзевич, П. Н. Брунков
|
384 |
|
|
Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs, излучающие на длине волны 850 нм
В. В. Шамахов, А. В. Лютецкий, К. В. Бахвалов, И. С. Шашкин, М. Г. Растегаева, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов
|
388 |
|
|
Органические светоизлучающие устройства с использованием многослойных квантовых точек, связанных с производными политиофена
А. А. Ващенко, А. Г. Витухновский, И. В. Тайдаков, П. Н. Тананаев, В. А. Васнев, Е. Н. Родловская, Д. Н. Бычковский
|
392 |
|
|
Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/Si методом компьютерного моделирования
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров
|
396 |
|
|
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
|
|
|
Формирование омических контактов Ta/Ti/Al/Mo/Au к гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN, выращенной на кремниевой подложке
К. Ю. Осипов, Л. Э. Великовский, В. А. Кагадей
|
402 |
|
|
Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPAsN и InGaPN
А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров
|
407 |
|
|
Получение двухслойных структур “композит на изоляторе” на основе пористого кремния и SnO$_x$, исследование их электрофизических и газочувствительных свойств
В. В. Болотов, В. Е. Росликов, Е. А. Росликова, К. Е. Ивлев, Е. В. Князев, Н. А. Давлеткильдеев
|
412 |
|
|
Гетероструктуры Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире
С. А. Денисов, С. А. Матвеев, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, Ю. Н. Дроздов, М. В. Степихова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник
|
417 |
|
|
Влияние особенностей технологии получения поликристаллического CdTe на проводимость и спектр глубоких уровней после отжига
Е. А. Боброва, Ю. В. Клевков, С. Г. Черноок, Н. Н. Сентюрина
|
421 |
|
|
Легирование кремния селеном методом диффузии из газовой фазы
Ю. А. Астров, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин
|
428 |
