Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12

ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

2016, том 50, выпуск 12

	К юбилею главного редактора журнала академика Роберта Арнольдовича Суриса	1585

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
	Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, Д. И. Курицын, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen	1587
	Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах Н. В. Сибирев, А. А. Корякин, В. Г. Дубровский	1592
	Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором Е. А. Суровегина, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, А. В. Мурель, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. М. Горбачев, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, А. Б. Мучников, В. В. Чернов, Д. Б. Радищев, Д. Е. Батлер	1595
	Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов Е. А. Тарасова, Е. С. Оболенская, A. B. Хананова, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. В. Неженцев, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, Г. В. Медведев	1599
	Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения Е. С. Оболенская, Е. А. Тарасова, А. Ю. Чурин, С. В. Оболенский, В. А. Козлов	1605
	Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, М. Ю. Есин, В. И. Машанов, А. К. Гутаковский, Н. А. Байдакова	1610
	Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, О. В. Вихрова, А. И. Морозов	1615
	Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs В. И. Ушанов, В. В. Чалдышев, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин	1620
	Асимметричные устройства на основе углеродных нанотрубок для детектирования излучения терагерцового диапазона Г. Е. Федоров, Т. С. Степанова, А. Ш. Газалиев, И. А. Гайдученко, Н. С. Каурова, Б. М. Воронов, Г. Н. Гольцман	1625
	Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами А. Н. Яблонский, Р. Х. Жукавин, Н. А. Бекин, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, М. В. Шалеев	1629
	Когерентность конденсата поляритонов в планарных микрорезонаторах в магнитном поле А. В. Черненко, А. Рахими-Иман, Ю. Фишер, М. Амтор, К. Шнайдер, С. Райзенштайн, А. Форхел, С. Хёфлинг	1634
	Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник М. Н. Коряжкина, С. В. Тихов, О. Н. Горшков, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов	1639
	Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN И. В. Штром, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen	1644
	Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, В. В. Чернов, В. А. Исаев, С. А. Богданов, А. Б. Мучников	1647
	Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах В. С. Варавин, В. В. Васильев, А. А. Гузев, С. А. Дворецкий, А. П. Ковчавцев, Д. В. Марин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, А. В. Царенко, М. В. Якушев	1652
	Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, П. А. Юнин	1657
	Твердый раствор PbSnTe : In – уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, В. Н. Шумский, В. С. Эпов	1662
	Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs С. В. Гудина, Ю. Г. Арапов, А. П. Савельев, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко	1669
	Поляризация фотолюминесценции квантовых точек, внедренных в квантовые нити А. В. Платонов, В. П. Кочерешко, В. Н. Кац, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Д. В. Авдошина, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette	1675
	Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, А. М. Кадыков, И. В. Тузов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, F. Teppe	1679
	Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник	1685
	Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe	1690
	Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко	1697
	Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин	1701
	Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов	1706
	Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм А. Н. Акимов, А. Э. Климов, С. В. Морозов, С. П. Супрун, В. С. Эпов, А. В. Иконников, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев	1713
	Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков	1720

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
	Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем К. С. Денисов, И. В. Рожанский, Н. С. Аверкиев, E. Lähderanta	1725

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
	Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ М. Б. Караваев, Д. А. Кириленко, Е. В. Иванова, Т. Б. Попова, А. А. Ситникова, И. В. Седова, М. В. Заморянская	1726