RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

2017, том 51, выпуск 12


XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.
Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин
1587
Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры
А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, M. Orlita, M. Potemski, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов
1588
Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
П. А. Бушуйкин, А. В. Новиков, Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, Л. В. Красильникова, Е. В. Демидов, Г. М. Савченко, В. Ю. Давыдов
1594
Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов
Н. А. Байдакова, В. А. Вербус, Е. Е. Морозова, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami
1599
Проявление $PT$-симметрии в экситонных спектрах квантовых ям
В. П. Кочерешко, Л. В. Котова, И. С. Хахалин, R. T. Cox, H. Mariette, R. Andre, H. Bukari, С. В. Иванов
1605
Исследования конденсата поляритонов в микрорезонаторных микростолбиках в сильных магнитных полях
А. В. Черненко, А. С. Бричкин, С. И. Новиков, К. Шнайдер, С. Хёфлинг
1610
Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией
Д. В. Юрасов, М. Н. Дроздов, В. Б. Шмагин, А. В. Новиков
1611
Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения
В. В. Румянцев, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко
1616
Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала
Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, А. В. Антонов, К. Е. Спирин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко
1621
Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути
С. В. Гудина, В. Н. Неверов, Е. В. Ильченко, А. С. Боголюбский, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, С. М. Подгорных, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий
1630
Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах
В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, J. P. Kakko, H. Lipsanen
1631

Электронные свойства полупроводников
Radiation-produced defects in germanium: experimental data and models of defects
V. V. Emtsev, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan
1632
Study and simulation of electron transport in Ga$_{0.5}$In$_{0.5}$Sb based on Monte Carlo method
A. A. El Ouchdi, B. Bouazza, Y. Belhadji, N. Massoum
1647

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Production and identification of highly photoconductive CdSe-based hybrid organic-inorganic multi-layer materials
M. Yfanti-Katti, F. Prokopos-Chouliaras, K. Milonakou-Koufoudaki, C. Mitzithra, K. Kordatos, S. Hamilakis, C. Kollia, Z. Loizos
1651
Effect of Ag in CdSe thin films prepared using thermal evaporation
T. C. Santhosh, K. V. Bangera, G. K. Shivakumar
1656
Al-doped and pure ZnO thin films elaborated by sol-gel spin coating process for optoelectronic applications
M. Maache, T. Devers, A. Chala
1663
Effect of high voltage electric field on structure and property of PEDOT : PSS film
Jinling Zhang, Juncheng Liu
1669
A comparative study on the electronic and optical properties of Sb$_{2}$Se$_{3}$ thin film
M. Kamruzzaman, Chaoping Liu, A. K. M. Farid Ul Islam, J. A. Zapien
1673

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Charge density at the Al$_{2}$O$_{3}$/Si interface in Metal-Insulator-Semiconductor devices: semiclassical and quantum mechanical descriptions
Slah Hlali, Neila Hizem, Adel Kalboussi
1682
Morphological and spectroscopic studies on the vertically aligned zinc oxide nanorods grown on low and high temperature deposited seed layer
A. Rayerfrancis, B. P. Balaji, N. Ahmed, C. Balaji
1690
Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$$n$-слоев
Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев
1696

Физика полупроводниковых приборов
Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов
1697
Electrical properties and the determination of interface state density from $I$$V$, $C$$f$ and $G$$f$ measurements in Ir/Ru/$n$-InGaN Schottky barrier diode
R. Padma, V. Rajagopal Reddy
1698
Performance characteristics of $p$-channel FinFETs with varied Si-fin extension lengths for source and drain contacts
Yue-Gie Liaw, Wen-Shiang Liao, Mu-Chun Wang, Chii-Wen Chen, Deshi Li, Haoshuang Gu, Xuecheng Zou
1706
Single electron transistor: energy-level broadening effect and thermionic contribution
A. Nasri, A. Boubaker, W. Khaldi, B. Hafsi, A. Kalboussi
1711

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Patterning approach for detecting defect in device manufacturing
Abhishek Vikram, Vineeta Agarwal
1716
The effects of electron irradiation and thermal dependence measurements on 4$H$-SiC Schottky diode
Sabuhi Ganiyev, M. Azim Khairi, D. Ahmad Fauzi, Yusof Abdullah, N. F. Hasbullah
1721

Персоналии
Памяти Владимира Борисовича Сандомирского (01.02.1929–19.06.2017)
Г. Р. Айзин, Н. М. Буйлова, В. А. Волков, Ю. В. Гуляев, А. Е. Каплан, С. А. Михайлов, С. А. Никитов, В. А. Петров, В. А. Сабликов, Н. А. Савостьянова, Р. А. Сурис, А. А. Суханов, Ю. Я. Ткач, А. В. Чаплик
1725


© МИАН, 2026