Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9

ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

2020, том 54, выпуск 9

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
	Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы А. В. Бабичев, С. А. Кадинская, К. Ю. Шубина, А. А. Васильев, А. А. Блохин, Э. И. Моисеев, С. А. Блохин, И. С. Мухин, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, П. Н. Брунков, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Егоров	833

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
	Comparative study on structural, optical, and electrical properties of ZnO thin films prepared by PLD and sputtering techniques H. Naeem-ur-Rehman Khan, M. Mehmood, F. C. C. Ling, A. Faheem Khan, S. M. Ali	841
	Study the properties of solution processable CZTS thin films induced by annealing treatment: study of annealing time R. A. Gani Shaikh, S. A. More, G. G. Bisen, S. S. Ghosh	842

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
	Structural, optical, and electrical studies of sonochemically synthesized CuS nanoparticles N. Singh, M. Taunk	843

Физика полупроводниковых приборов
	Elemental, optical, and electrochemical study of CH$_3$NH$_3$PbI$_3$ perovskite-based hole transport layer-free photodiode J. Chaudhary, S. Choudhary, B. Agrawal, A. S. Verma	844
	Effect of submicron structural parameters on the performance of a multi-diode CMOS compatible silicon avalanche photodetector K. Majumder, P. Rakshit, N. Ranjan Das	845

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.
	Влияние граничных условий на высокочастотную электропроводность тонкого проводящего слоя в продольном магнитном поле И. А. Кузнецова, О. В. Савенко, П. А. Кузнецов	846
	Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC П. А. Юнин, А. И. Охапкин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Е. А. Архипова, С. А. Краев, Ю. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, Д. Б. Радищев	855
	Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$ А. К. Кавеев, А. Г. Банщиков, А. Н. Терпицкий, В. А. Голяшов, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, Д. А. Естюнин, А. М. Шикин	859
	Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку А. И. Охапкин, П. А. Юнин, Е. А. Архипова, С. А. Краев, С. А. Королев, М. Н. Дроздов, В. И. Шашкин	865
	Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур Ю. А. Данилов, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Н. В. Дикарева, М. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, В. А. Ковальский, Р. Н. Крюков, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, П. А. Юнин, А. М. Андреев	868
	Особенности транспорта в топологической фазе Hg$_{0.87}$Cd$_{0.13}$Te в условиях терагерцового фотовозбуждения А. В. Галеева, А. С. Казаков, А. И. Артамкин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. И. Банников, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов	873
	Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов К. В. Маремьянин, В. В. Паршин, Е. А. Серов, В. В. Румянцев, К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, А. П. Фокин, С. С. Морозов, В. Я. Алешкин, М. Ю. Глявин, Г. Г. Денисов, С. В. Морозов	878
	Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов, Г. Э. Цырлин	884
	Терагерцовые дисперсия и усиление при стриминге электронов в графене при 300 K А. А. Андронов, В. И. Позднякова	888
	Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) с модифицируемой поверхностью А. В. Иконников, В. C. Дудин, А. И. Артамкин, А. Н. Акимов, А. Э. Климов, О. Е. Терещенко, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов	896
	Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, А. Е. Жуков, Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов	902
	Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. А. Разова, С. М. Сергеев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов	906
	Квантование проводимости в мемристивных структурах на основе поли-п-ксилилена Б. С. Швецов, А. А. Миннеханов, А. А. Несмелов, М. Н. Мартышов, В. В. Рыльков, В. А. Демин, А. В. Емельянов	913
	Влияние одноосной деформации в направлении [110] на релаксацию состояний мелких доноров мышьяка в германии В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин	918
	Многофононная релаксация состояний $1s(T_{2})$ однократно ионизованного донора селена в кремнии Н. А. Бекин	922
	Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне В. В. Уточкин, М. А. Фадеев, С. С. Криштопенко, В. В. Румянцев, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, С. В. Морозов, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко	929
	Поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$ А. А. Ежевский, П. Г. Сенников, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, Н. В. Абросимов	933
	Электронные состояния доноров V группы в германии: вариационный расчет с учетом короткодействующего потенциала А. А. Ревин, А. М. Михайлова, А. А. Конаков, В. Н. Шастин	938
	Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах И. Ю. Забавичев, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов	945
	Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ А. И. Хребтов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Е. С. Громова, И. Д. Скурлов, А. П. Литвин, Р. Р. Резник, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин	952
	Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, А. И. Охапкин, В. М. Данильцев, Е. В. Скороходов	958
	Квантовая когерентность и эффект Кондо в двумерном электронном газе магнитно-нелегированных гетероструктур AlGaN/GaN Н. К. Чумаков, И. А. Черных, А. Б. Давыдов, И. С. Езубченко, Ю. В. Грищенко, Л. Л. Лев, И. О. Майборода, Л. А. Моргун, В. Н. Строков, В. Г. Валеев, М. Л. Занавескин	962
	Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, С. В. Хазанова, Н. Н. Григорьева, О. Л. Голиков, А. Б. Иванов, А. С. Пузанов	968
	Дифракционная селекция мод в гетеролазерах с планарными брэгговскими структурами Н. С. Гинзбург, А. С. Сергеев, Е. Р. Кочаровская, А. М. Малкин, Е. Д. Егорова, В. Ю. Заславский	974
	Особенности когерентной спиновой динамики двумерного электронного газа в режиме холловского ферромагнетика А. В. Ларионов, Э. Степанец-Хуссейн, Л. В. Кулик	980