RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

1983, том 9, выпуск 20


Инжекционно-лавинный механизм запуска реверсивно-включаемых динисторов в субмикросекундном диапазоне
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Л. С. Костина, А. В. Наливкин
1217
Анизотропный захват двух собственных глубоких центров при жидкофазной эпитаксии арсенида галлия
С. И. Чикичев, В. А. Калухов
1221
Повышение энергетических характеристик и ресурса работы непрерывных технологических CO$_{2}$-ЭИЛ за счет использования пятикомпонентных лазерных смесей
А. П. Аверин, Н. Г. Басов, Е. П. Глотов, В. А. Данилычев, О. М. Керимов, М. М. Малыш, A. M. Сорока, В. Е. Цепелев, Н. В. Чебуркин
1224
Колебания в плазменной линзе и их влияние на фокусируемый ионный пучок
И. С. Гасанов, И. М. Проценко
1228
Структура Оже-спектров при ионной бомбардировке монокристаллов
В. Ю. Китов, Э. С. Парилис
1232
Электростатические линзы с переменной апертурой
Л. П. Овсянникова, Е. В. Шпак, С. Я. Явор
1237
Комбинационное преобразование частоты встречных магнитостатических волн с возбуждением сверхсветовых волн намагничивания
Г. Т. Казаков, Е. С. Пылаев
1240
Резонансное и краевое усиление электрического поля в слое плазменного резонанса и ускорение частиц на плазменных неоднородностях
Г. А. Аскарьян, С. В. Буланов
1243
МДП-диоды на основе InSb и InAs с $N$-образной ВАХ в области инверсионных напряжений
С. Г. Сазонов, О. В. Романов
1247
Высокоэффективные $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs солнечные фотоэлементы с КПД 19% (AM 0) и 24% (AM 1.5)
В. М. Андреев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, О. М. Федорова, Ш. Ш. Шамухамедов
1251
Волновое поле, рассеянное трехмерной фазовой голограммой, в пространственно-частотном представлении
Ю. Л. Корзинин, В. И. Суханов
1254
Влияние периодической структуры монокристалла на излучение каналированных частиц
О. В. Ануфриев, Л. И. Николайчук, Н. А. Xижняк
1259
Использование фазовых переходов смектик A $-$ нематик для терморегистрации
Л. М. Клюкин, А. Н. Несруллаев, А. С. Сонин
1263
Дисперсия ПЭВ на полупроводниках с периодическим рельефом, образующимся в процессе воздействия интенсивного излучения
В. В. Баженов, A. M. Бонч-Бруевич, М. Н. Либенсон, B. C. Макин, С. Д. Пудков, В. В. Трубаев
1268
Транзисторный эффект в двухполюсной $n^{+}pNn^{+}$-структуре при ее импульсном инжекционном возбуждении
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, А. В. Наливкин
1271
Рекомбинация через глубокие центры при электронно-дырочном рассеянии в полупроводниках
И. В. Грехов, А. Е. Отблеск
1275


© МИАН, 2026