|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне
Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019), 679–684
-
Терагерцовая спектроскопия “двумерного полуметалла” в трехслойных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 91–97
-
Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1263–1267
-
Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1257–1262
-
Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range
Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 464
-
Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения
Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1616–1620
-
Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры
Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1588–1593
-
Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 40–44
-
Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1690–1696
-
Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1679–1684
-
Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe
Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1554–1560
© , 2025