Gershenzon Evgeniy Mikhailovich

Publications in Math-Net.Ru

1. Magnetic field effects on the nonohmic impurity conduction of uncompensated crystalline silicon
   
   Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 73:1 (2001),  50–53
2. Механизм преобразования частоты в $n$-InSb-смесителе
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991),  1986–1998
3. PICOSECOND RESPONSE ON OPTICAL-RANGE EMISSION IN THIN YBACUO FILMS
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:22 (1991),  6–10
4. Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990),  2145–2150
5. Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1881–1883
6. Кинетические явления в компенсированном $n$-InSb при низких температурах (Обзор)
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990),  3–24
7. LIMITING CHARACTERISTICS OF FAST-RESPONSE SUPERCONDUCTING BOLOMETERS
   
   Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:2 (1989),  111–120
8. Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989),  1356–1361
9. Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:2 (1989),  338–345
10. PERSPECTIVES FOR APPLICATION OF HIGH-TEMPERATURE SUPERCONDUCTORS FOR THE FORMATION OF ELECTRON BOLOMETERS
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:14 (1989),  88–93
11. FAST-RESPONSE SUPERCONDUCTING ELECTRON BOLOMETER
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:3 (1989),  88–92
12. Захват свободных дырок заряженными акцепторами в одноосно деформированном Ge
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988),  540–543
13. On the Interpretation of Negative Magnetoresistance for the Conduction over the Habbard Upper Band in $n$-Туре Ge<Sb>
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986),  99–103
14. Spin-Lattice Relaxation of Phosphorus Donors in Silicon under Uniaxial Deformation of the Sample
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1696–1698
15. On the Mechanism of Dynamic Narrowing of ESR Line of Phosphorus Donors in Silicon
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984),  421–425
16. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:10 (1983),  1896–1898
17. Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:10 (1983),  1873–1876
18. Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983),  1430–1437
19. О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983),  499–501
20. H$^-$-like impurity centers and molecular complexes created by them in semiconductors
    
    UFN, 132:2 (1980),  353–378
21. Spectral and radiospectroscopic studies of semiconductors at submillimeter wavelengths
    
    UFN, 122:1 (1977),  164–174


22. Новая книга по теории твердого тела
    
    UFN, 115:2 (1975),  339–340