Fistul Viktor Il'ich

Publications in Math-Net.Ru

1. Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991),  997–1003
2. Состояние лазерно-имплантированного кремния на границе Si$-$Al
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991),  124–127
3. Параметры компенсирующих центров в $n$-Si сильно компенсированным облучением
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  1118–1120
4. Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  1038–1041
5. Распад преципитатов никеля в монокристаллах кремния под влиянием всестороннего сжатия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2118–2121
6. Определение параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике методом температурной зависимости емкости и активной проводимости
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:11 (1989),  1947–1950
7. Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. III. Теория растворимости
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  688–692
8. Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. II. Теория миграции, сравнение с экспериментом
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  684–687
9. Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. I. Теория миграции
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  677–683
10. Квантовый гармонический резонанс в кремнии
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  301–306
11. Migration Energies of Interstitial $d$-Impurities in Silicon
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:6 (1987),  1026–1029
12. Baric Irreversible Effects in Silicon with Impurity Precipitates
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987),  766–767
13. Baric Decay of Gadolinium Precipitates in Silicon
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987),  764–765
14. Electric and Photoelectric Properties of Structures Implanted by a Laser
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:12 (1986),  2140–2144
15. Behaviour of Sn Amphoteric Impurity in GaSb$\langle$Sn$\rangle$ and GaSb$\langle$Cd,Sn$\rangle$ Epitaxial Layers
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986),  109–112
16. Photoluminescence of Epitaxial GaSb Layers Heavily Doped by Amphoteric impurity
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986),  104–108
17. Concentration Profiles under Nonisothermal Diffusion in Solids
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  2082–2085
18. Dependence of Luminescent Properties of Heavily Doped GaSb$\langle$Cd$\rangle$ Epitaxial Layers on the Conditions of Production
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1414–1419
19. Люминесцентные свойства тонких слоев антимонида галлия на танталовых подложках
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1519–1521
20. Изоэлектронные примеси в полупроводниках. Состояние проблемы
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1345–1362
21. Review of Three-Volume Monograph by A. R. Regel' and V. M. Glazov «Periodic Law and Physical Properties of Electron Melts», v. 1; «Physical Properties of Electron Melts», v. 2; «Relationships of Electron-Melts Structure Formation», v. 3
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984),  961–964
22. Diffusion Near-to-Surface Impurity Profiles in Semiconductors. III. Comparison with the Experiment
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984),  797–801
23. Impurity Band of Iron Clusters in Silicon
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984),  250–254
24. Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках II.  Одновременная и взаимная диффузия
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983),  2003–2008
25. Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках I.  Постановка задачи. Последовательная диффузия
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983),  1995–2002
26. Распределение амфотерной примеси по подрешеткам многокомпонентных твердых растворов A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983),  1107–1110
27. Лазерная имплантация примесей в кремнии
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983),  854–858
28. Диэлектрическая релаксация в германии, легированном медью
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:2 (1983),  345–346
29. Clasters in a strongly alloyed silicon
    
    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 150:5 (1963),  1059–1061
30. Impurities as they occur in strongly alloyed single $n$-type crystals of germanium and silicon
    
    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 149:5 (1963),  1119–1122
31. Tunnel diodes
    
    UFN, 77:1 (1962),  109–160
32. Adsorption-produced changes in the surface conductivity of germanium
    
    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 130:2 (1960),  374–376