RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Rud' Yurii Vasil'evich

Publications in Math-Net.Ru

  1. Study of the solid solutions in the $\mathrm{CdTe}$–$\mathrm{MnTe}$–$\mathrm{MgTe}$ system

    Fizika Tverdogo Tela, 34:7 (1992),  2284–2286
  2. Фотоэлектрические свойства диодов Шоттки In${-}p$-CuInSe$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:11 (1992),  1996–2000
  3. Поляризационная фоточувствительность тонкопленочных структур $p$-CuInSe$_{2}{-}n$-CdS

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:11 (1992),  1861–1865
  4. Оптические гетероконтакты на основе пленок CuInSe$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:3 (1992),  558–562
  5. Получение и свойства изотипных гетероструктур на основе $n$-CuInSe$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:3 (1992),  556–558
  6. Усиление фотоплеохроизма в структурах $n{-}p$-CdSiAs$_{2}{-}n$-In$_{2}$O$_{3}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:3 (1992),  506–509
  7. Фотоактивное поглощение в тонких пленках CuInSe$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991),  2047–2050
  8. Компенсация фотоплеохроизма поляриметрических структур на основе CdGeP$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1469–1471
  9. PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF CDGEP2 STRUCTURES AND ITS INP BINARY ANALOG

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 60:9 (1990),  174–176
  10. Анизотропия переноса носителей заряда в монокристаллах CdGeAs$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990),  2181–2185
  11. Анизотропия краевого оптического поглощения компенсированных кристаллов $n$-CdGeP$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990),  1306–1312
  12. DETECTION OF ANISOTROPY OF HOLE MOBILITY IN CDSIAS2 CRYSTALS

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:21 (1990),  9–12
  13. Optical dichroism of $\mathrm{CdSnP}_{2}$ near the fundamental absorption edge

    Fizika Tverdogo Tela, 31:4 (1989),  108–113
  14. PHOTOELECTROCHEMICAL NUCLEI FROM GLASS-LIKE SEMICONDUCTORS II-IV-V2

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:7 (1989),  112–116
  15. ELECTRICAL AND PHOTOELECTRICAL PROPERTIES IN N-P-CDSIAS2

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:6 (1989),  128–131
  16. INVERSION OF THE PHOTOFLOW SIGN IN POLARIMETRIC STRUCTURES FROM CDSIAS2 AND CDGEP2

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:2 (1989),  101–105
  17. Оптические свойства монокристаллов AgGaTe$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989),  1778–1783
  18. Анизотропия длинноволнового оптического поглощения монокристаллов CuInTe$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989),  1299–1301
  19. Спектры фоточувствительности структур Cu$-$CdSiP$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:6 (1989),  1002–1005
  20. Фотоэффект в гетероструктурах In$_{2}$O$_{3}$/CuInSe$_{2}$, полученных методом термического окисления

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989),  869–872
  21. Поляризационная фоточувствительность барьеров электролит$-$CdGeP$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:2 (1989),  312–315
  22. Fundamental optical absorption edge in $\mathrm{CdSiAs}_{2}$

    Fizika Tverdogo Tela, 30:12 (1988),  3584–3590
  23. REFLECTION AND ELLIPSOMETRY OF REAL SURFACE OF CUINS2 CRYSTALS

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:8 (1988),  1612–1614
  24. PHOTOVOLTAIC EFFECT IN THE P-ZNSNAS2-BASED HETEROTRANSITION

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:8 (1988),  1586–1588
  25. PHOTOVOLTAIC EFFECT IN PARA-CDO-CDGEP2 BARRIERS

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:7 (1988),  1415–1419
  26. Спектры фоточувствительности контакта I$-$III$-$VI$_{2}{-}$электролит

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1699–1701
  27. Фазовый переход халькопирит${}\rightleftarrows{}$ сфалерит в полупроводниках II$-$IV$-$V$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1580–1584
  28. Поляризационная фоточувствительность анизотипных структур $n$-SiO$_{2}{-}p$-CdGeP$_{2}\langle\text{Ga}\rangle$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1115–1116
  29. Дихроизм кристаллов MnIn$_{2}$Te$_{4}$ и фотоплеохроизм структур на их основе

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1101–1104
  30. DETECTION OF OPTICAL LINEAR DICHROISM IN CUINTE2 MONOCRYSTALS

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:10 (1988),  917–920
  31. MULTIFREQUENCY GIGANTIC PHOTOPLEOCHROISM

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:10 (1988),  900–903
  32. Low temperature electronic properties of $\mathrm{CuFeS}_{2}$ and its band diagram at the $\Gamma$ point

    Fizika Tverdogo Tela, 29:7 (1987),  2209–2212
  33. Luminescence kinetics in some $\mathrm{A}_{2}\mathrm{B}_{6}$ solid solutions

    Fizika Tverdogo Tela, 29:6 (1987),  1685–1689
  34. Interatomic interaction dynamics and the mechanism of phase transition and of intrinsic point defect formation in $\mathrm{ZnSnAs}_{2}$ semiconductor

    Fizika Tverdogo Tela, 29:2 (1987),  632–634
  35. POLARIMETRIC HETEROPHOTOELEMENT-MNIN2TE4-SI

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 57:12 (1987),  2403–2404
  36. Physical Properties of MnIn$_{2}$Te$_{4}$ Films and Heterojunctions on Their Base

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1916–1918
  37. Schottky Diodes on MnIn$_{2}$Te and MnGa$_{2}$Te$_{4}$ Magnetic Semiconductors

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:6 (1987),  1051–1053
  38. Photosensitivity of the Semiconductors II$-$IV$-$V$_{2}{-}$ Electrolyte Systems

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987),  615–619
  39. Experimental detection of anisotropy of optical-absorption in $Mn\,In_2\,Te_4$ and $Mn\,Ga_2\,Te_4$ crystals

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:17 (1987),  1040–1043
  40. PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF THE PARA-SNO2-PARA-CDGEP2(IN) ISO-TYPE HETEROJUNCTION

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:10 (1986),  1989–1993
  41. Photoluminescence of $n$-CdSnAs$_{2}$ Single Crystals

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986),  1533–1535
  42. Effect of Deviation from Stoichiometry on the Luminescence of CdSiAs$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1718–1720
  43. DISCOVERY OF 100-PERCENT DEGREE LINEAR-POLARIZATION OF PHOTOLUMINESCENCE OF ANISOTROPIC SEMICONDUCTORS

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:11 (1984),  2253–2255
  44. A-II-B-IV-C2-V IN2O3-COMPOUND HETEROELEMENTS

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:2 (1983),  325–328
  45. Поляризация примесной фотолюминесценции кристаллов CdSiAs$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2208–2211
  46. Электрическте свойства твердых растворов A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}{-}$A$^{\text{II}}$B$^{\text{IV}}$C$^{\text{V}}_{2}$, облученных ионами H$^{+}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1347–1348
  47. Гетеропереходы твердофазного замещения $p$-Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$SnAs$_{2}{-}n$-CdSnAs$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1265–1269
  48. Фотопроводимость и определение фундаментальных параметров одноосных кристаллов (на примере CdGeP$_{2}\langle\text{Cu}\rangle$)

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983),  426–430
  49. Фотолюминесценция кристаллов ромбической модификации AgInS$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:2 (1983),  341–344
  50. Поляризация люминесценции монокристаллов AgInS$_{2}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:2 (1983),  281–287
  51. Transfer phenomena in solid and liquid $\mathrm{ZnGeP}_2$

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 216:2 (1974),  303–305
  52. Electrical properties and photoconductivity of $\mathrm{ZnSiAs}_2$ crystals of $n$-type

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 216:1 (1974),  56–58
  53. A new field of application for some semiconductor compounds

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 189:2 (1969),  297–298
  54. Energy structure of zones in certain $\mathrm{A}^{\mathrm{II}}\mathrm{B}^{\mathrm{IV}}\mathrm{C}_2^{\mathrm{V}}$ crystals

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 163:4 (1965),  868–869
  55. Photoelectric properties of $p$-$\mathrm{ZnSiAs}_2$ and $p$-$\mathrm{CdGeAs}_2$ crystals

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 161:5 (1965),  1065–1066
  56. New glasslike compounds

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 160:3 (1965),  633–634
  57. An investigation of $\mathrm{ZnSiP}_2$, $\mathrm{CdSiP}_2$ and $\mathrm{ZnSiAs}_2$ crystals

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 154:5 (1964),  1116–1119

© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024