|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
К вопросу о собственной концентрации носителей заряда в твердых
растворах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:7 (1992), 1342–1346
-
Особенности магнитополевых зависимостей кинетических коэффициентов
в двухслойных структурах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:3 (1992), 535–538
-
Влияние компенсирующего отжига на шум $1/f$ в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:1 (1992), 173–176
-
Электронное время жизни в кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с разной
плотностью малоугловых границ
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:9 (1991), 1649–1652
-
Влияние ростовых дислокаций на время жизни электронов
в $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991), 464–466
-
Кинетика нарастания и спада концентрации носителей при импульсном
фотовозбуждении неоднородных полупроводников
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990), 190–192
-
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов
в кристаллах $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, подвергнутых ультразвуковой обработке
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990), 171–174
-
Особенности электрофизических и фотоэлектрических свойств
монокристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, подвергнутых облучению
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989), 1386–1389
-
Рекомбинационные процессы в радиационно облученных фоточувствительных
структурах на основе селенида галлия
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 152–155
-
Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры
в фоточувствительных полупроводниках
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988), 409–412
-
Recombination Processes in Mg$_{x}$Cd$_{1-x}$Se Semiconductors in Conditions of Maximum Charge Exchange of Localized Centers
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986), 1989–1993
-
Photosensitivity Spectral Distribution in Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te in Stationary and Pulsed Measuring Modes
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986), 541–543
-
Photoconduction of CdTe. Single Crystals in the Range of Fundamental Absorption Edge
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986), 398–402
-
Electric effects due to vibration deformations in semiconductive $\mathrm{Cd}_{x}\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ crystals
Fizika Tverdogo Tela, 27:8 (1985), 2505–2506
-
Two parallel carrier capture mechanisms for a single recombination centre
Dokl. Akad. Nauk SSSR, 167:4 (1966), 795–798
-
The constants of recombination centres in cadmium sulfide as determined by the kinetics of infrared quenching of photocurrent
Dokl. Akad. Nauk SSSR, 161:6 (1965), 1310–1312
© , 2024