RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Shmartsev Yurii Vasil'evich

Publications in Math-Net.Ru

  1. Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:10 (1992),  1737–1741
  2. Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78 и 300 K

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:3 (1992),  574–577
  3. Normal vibrations of atomic groups in the sillenite lattice. II. $\mathrm{Me}(\mathrm{O}_{3}\mathrm{Bi}_{3})_{4}$ group

    Fizika Tverdogo Tela, 33:4 (1991),  1210–1214
  4. Normal vibrations of atomic groups in the sillenite lattice. I. $\mathrm{O}_{(1)}\mathrm{Bi}_{3}$ and $\mathrm{O}_{(2)}\mathrm{Bi}_{3}$ groups

    Fizika Tverdogo Tela, 33:4 (1991),  1202–1209
  5. USE OF ELECTROLIQUID EPITAXY FOR THE GROWING VOLUME CRYSTALS AND SIMULTANEOUS PREPARATION OF LAYERS ON SEVERAL SUBSTRATES

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 61:3 (1991),  74–79
  6. Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов$-$расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:10 (1991),  1758–1764
  7. Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1472–1475
  8. Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной примесей

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1355–1360
  9. Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991),  997–1003
  10. Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:5 (1991),  898–903
  11. О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1862–1866
  12. Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом и кремнием

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1857–1861
  13. Подавление «природных» акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  1095–1100
  14. Особенности поведения изовалентной примеси — индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990),  77–81
  15. Влияние отношения потоков мышьяка и галлия на люминесценцию арсенида галлия, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989),  1913–1916
  16. Ширина запрещенной зоны в твердом растворе GaSb$_{1-x}$Bi$_{x}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989),  1517–1518
  17. Влияние легирования индием на люминесценцию монокристаллов арсенида галлия

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989),  1259–1262
  18. Об одной особенности донора — серы в GaP

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:6 (1989),  1070–1075
  19. Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  3–32
  20. О реализации одномерных и квазиодномерных электронных каналов на вицинальных и профилированных поверхностях полупроводников

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1091–1095
  21. Роль высших подзон в энергетической релаксации двумерного электронного газа

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  604–608
  22. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  342–344
  23. Концентрация и подвижность электронов в InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных редкоземельными элементами

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  35–43
  24. FEATURES OF THE SURFACE OF GALLIUM-ARSENIDE, GROWN FROM BISMUTH SOLUTION-FUSION

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:19 (1988),  1794–1799
  25. SOLID-SOLUTIONS IN THE GA-SB-BI SYSTEMS

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:18 (1988),  1651–1655
  26. Mechanism of «Purification» of Gallium Arsenide by Bismuth

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:12 (1987),  2201–2209
  27. Quantum Corrections to Conduction and Heating-up of Two-Dimensional Electron Gas on the AlGaAs/GaAs Heteroboundary

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987),  2096–2099
  28. Magnetoresistive E. M. F. of Quasi-Two-Dimensional Electron Gas in In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP Heterostructures

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987),  1479–1481
  29. Effect of Isovalent Indium-Doping on «Natural» Acceptors in Gallium Antimonide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:6 (1987),  1118–1124
  30. Effect of Isovalent Bismuth Doping on Shallow-Acceptor Concentration in Gallium Arsenide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:5 (1987),  949–952
  31. Drift Barriers in Epitaxial Layers of GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$ Pure Solid Solutions

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987),  662–665
  32. Photoluminescence of germanium-alloyed and bismuth-alloyed $Ga\,As$

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:20 (1987),  1264–1267
  33. Nea photocathodes based on $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}$ solid-solutions – their application in photomultipliers

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:14 (1987),  833–835
  34. Solid-solution in the indium phosphide–indium antimonide system

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:3 (1987),  188–191
  35. Optical properties of the two-phase metal-dielectric system $\mathrm{Cu}$–$\mathrm{ZnO}$

    Fizika Tverdogo Tela, 28:9 (1986),  2707–2710
  36. То the 100-th Year of Discovery of Germanium

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:12 (1986),  2137–2139
  37. Delay and Suppression of Current Filament by a Magnetic Field in Quasi-Two-Dimensional In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$Аs/InР Heterostructures

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986),  1488–1491
  38. Photoluminescence of Bismuth-Doped InP

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:7 (1986),  1258–1261
  39. Direct observations of high-ohmic areas in epitaxial layers of $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:15 (1986),  912–916
  40. R-P structures based on $Al\,As-Ga$, $As-Ga\,Sb$ solid-solutions with the spectro-sensitive controlled strip

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:12 (1986),  764–767
  41. The purification of gallium-arsenide by bismuth

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:5 (1986),  274–276
  42. Photoconductivity of heterostructures with quantum holes

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:5 (1986),  257–261
  43. Light-reflection by metal-dielectric 2-phase mixtures

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:2 (1986),  103–106
  44. Study of SHF Absorption in InGaAs InP Heterostructures in the Mode of Electric Instability

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  2004–2007
  45. Galvanomagnetic Effects in $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs Heterostructures under high Level Doped

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985),  1199–1203
  46. To the Problem of Variation of Shallow-Impurity Compensation Degree under Isovalent Doping of Gallium Arsenide

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1104–1107
  47. Two-Dimensional Electron Gas in GaAs/GaAlAs Structures of Modulated Doping Produced by the Molecular-Beam Epitaxy

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  164–167
  48. High-selective photoresistor based on solid-solutions in the $Ga\,As-Ga\,Sb$ system

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:12 (1985),  717–720
  49. Gallium-arsenide photocathode with the integral sensitivity of $3200$ mkA-lm

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:10 (1985),  602–605
  50. Equilibrium electro-liquid $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}/Ga\,Sb$ epitaxy

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:4 (1985),  230–233
  51. Electro-liquid epitaxy of the 4-component $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$ solid-solution

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:4 (1985),  224–226
  52. Highly-efficient large area phototransistor fast-resposing on the wave length in the $0.9$–$1.1\,\mu m$ range

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:1 (1985),  7–11
  53. Infrared reflection spectrum of $\mathrm{Bi}_{12}\mathrm{TiO}_{20}$

    Fizika Tverdogo Tela, 26:7 (1984),  2233–2235
  54. ELECTRO-LIQUID EPITAXY OF INAS1-XSBX SOLID-SOLUTIONS

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:11 (1984),  2233–2237
  55. ANALYSIS OF ADMIXTURE DISTRIBUTION UNDER EQUILIBRIUM ELECTRIC-LIQUID EPITAXY

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:10 (1984),  2011–2015
  56. STRUCTURE CONTROL IN THE ELECTROLIQUID EPITAXY METHOD

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:7 (1984),  1394–1399
  57. Спин-орбитальное рассеяние и слабая локализация электронов в гетероструктурах InGaAs/InP

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984),  1999–2005
  58. Электрические свойства неидеальных гетеропереходов $n$-GaP/$p$-Si и $n$-GaAs/$p$-Si

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984),  1588–1592
  59. On the Dependence of Photoluminescence Quantum Yield in GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ Solid Solution on Temperature and Composition

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1251–1255
  60. Special Features of SHF-Noise in the Development of Electric Instability in Quasi-Two-Dimensional In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP Heterostructures

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1237–1241
  61. Two-Dimensional Elactron Gas in InGaAs/InP Heterostructures Produced by Liquid-Phase Epitaxy

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1230–1232
  62. Noise in Symmetric Planar Structures of Silicon Compensated with Zinc

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1173–1177
  63. On the Quantum Hall Effect in Silicon Metal–Dielectric–Semiconductor Structures

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984),  365–367
  64. On the Temperature Dependence of Relaxation Time of Wave-Function Phase in Antimony-Doped Germanium

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984),  156–159
  65. Electronic phenomena in nonideal heterotransitions

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 270:3 (1983),  593–596
  66. Optical absorption of alloyed rutile

    Fizika Tverdogo Tela, 25:3 (1983),  942–944
  67. Raman light scattering in $\mathrm{Bi}_{12}\mathrm{TiO}_{20}$

    Fizika Tverdogo Tela, 25:2 (1983),  596–598
  68. OPTICAL-PROPERTIES OF TA2O5 THIN-LAYERS ON SILICON

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:12 (1983),  2362–2366
  69. GROWTH-KINETICS IN THE EQUILIBRIUM ELECTRIC-LIQUID EPITAXY

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:3 (1983),  545–549
  70. Время релаксации фазы волновой функции в двумерном электронном газе Si-МДП структур

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2230–2232
  71. Модуляционные методики определения параметров связанных состояний в квантовом эффекте Холла

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1217–1224
  72. Зависимость отрицательного магнитосопротивления от концентрации примеси в полупроводниках

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983),  1081–1086
  73. К вопросу о механизме пробоя $p{-}n$-переходов на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  134–138
  74. Фотолюминесценция твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ И Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$)

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  108–114
  75. О зависимости ширины запрещенной зоны нелегированного твердого раствора Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb от состава (${0\leqslant x\leqslant1}$) и температуры (${4.2\leqslant T\leqslant200}$ K)

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  103–107
  76. Электрожидкостная эпитаксия InAs

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:16 (1983),  961–964
  77. Определение некоторых параметров раствора–расплава в электрожидкостной эпитаксии

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:11 (1983),  662–666
  78. О корреляции в расположении мелких примесей в арсениде галлия, легированном индием и сурьмой

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:4 (1983),  242–245
  79. Электрожидкостная эпитаксия в системе (GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$)

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:3 (1983),  155–158
  80. The production and certain properties of $\mathrm{CdSnAs}_2$, a semiconducting compound

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 171:4 (1966),  830–832
  81. Negative magnetic resistance in $n$-type silicon

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 163:2 (1965),  338–339

© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024