RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Tsarenkov Boris Vasil'evich

Publications in Math-Net.Ru

  1. RELAXATION LIQUID EPITAXY WITH MASS-TRANSFER INVERSION - SIMULATION AND EXPERIMENT

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 62:3 (1992),  100–105
  2. SiC СВЧ полевые транзисторы: граничная частота$-$мощность

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991),  1913–1921
  3. Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур: влияние промежуточного диэлектрического слоя

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1419–1422
  4. Потенциальные барьеры на поверхности $n$- и $p$-GaAs (100): кинетика движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1406–1413
  5. Термоэлектронный обратный ток в GaAs поверхностно-барьерной структуре

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  439–443
  6. ADHESION OF GOLD AND NICKEL FILMS TO GALLIUM-ARSENIDE

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 60:11 (1990),  208–209
  7. EXPERIMENTAL JUSTIFICATION OF A RELAXATION LIQUID EPITAXY MODEL WITH MASS-TRANSFER INVERSION DESIGNED FOR THE FORMATION OF SUPERFINE A3B5 LAYERS

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 60:1 (1990),  165–169
  8. Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990),  2126–2131
  9. Гетеропереход, возникающий на границе скачкообразного изменения концентрации свободных носителей в однородном по составу полупроводнике

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1848–1856
  10. Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур GaAs

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1835–1840
  11. Спиновое эхо в системе свободных электронов полупроводника

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2179–2189
  12. Фиолетовый SiC-$4C$-светодиод

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  39–43
  13. SIC-6H FIELD TRANSISTOR WITH RECORD TRANSCONDUCTANCE FOR CARBIDE-SILICON TRANSISTORS

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:16 (1989),  36–42
  14. RELAXATION LIQUID EPITAXY BASED ON THE MASS-TRANSFER INVERSION - ITS POTENTIALITIES FOR THE FORMATION OF HYPERFINE A3B5 LAYERS

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:8 (1988),  1507–1512
  15. Зависимость сопротивления омического контакта полупроводник–металл от ширины запретной зоны полупроводника

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1712–1713
  16. Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент — спектральный аналог глаза II.  Эксперимент

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1640–1646
  17. Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент — спектральный аналог глаза I.  Модель

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1634–1639
  18. Синие SiC-$6H$-светодиоды

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  664–669
  19. Переход контакта полупроводник–жидкий металл от вентильного к омическому. Влияние параметров полупроводника на температуру перехода

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988),  555–558
  20. Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким $p{-}n$-переходом

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  133–136
  21. Аномальный дрейф горячих фотоносителей в контактном поле

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  129–132
  22. HIGH-TEMPERATURE SIC-6H FIELD TRANSISTOR WITH THE P-N LOCKS

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:4 (1988),  289–293
  23. Oscillating Integral Hanle Effect with Alternating Sign in Variband Semiconductor

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1893–1898
  24. SUPERTHIN GAAS LAYER GROWTH ON THE GAALAS SUBSTRATE BY LIQUID EPITAXY

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:5 (1986),  910–913
  25. Transition of Semiconductor – Liquid-Metal Contact from Rectifier to Ohinic Contact

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986),  1510–1513
  26. Interface Luminescence of $n$-GaAs/$n$-GaAlAs Heterostructure Produced by Liquid Epitaxy

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:7 (1986),  1313–1317
  27. Semiconductors A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ – Are 35 Years Old

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:12 (1985),  2113–2117
  28. Polarization Photoluminescence of a Variband Semiconductor with Gradient of Electron $g$-Factor. I. Theory

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985),  1277–1282
  29. Luminescence of (GaAl)P Layers Elastically and Plastically Deformed in Heteroepitaxy

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1078–1080
  30. Coordinate Dependence of the Difference between the Coefficients of Collision Ionization of Holes and Electrons in a Variband $p{-}n$ Structure

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985),  502–506
  31. Development of $(Ga\,Al)As$ superfine layers by liquid epitaxy

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:8 (1985),  465–469
  32. Ток, обусловленный рекомбинацией через многоуровневый центр в слое объемного заряда $p{-}n$-структуры

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1852–1858
  33. К вопросу об определении контактной разности потенциалов структуры с потенциальным барьером

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1472–1475
  34. Рецензия на книгу «Введение в физику полупроводников»

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1339–1340
  35. Rate of Recombination via Multilevel (Multiply Charged) Center

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984),  902–912
  36. Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2173–2176
  37. Полупроводникам — 150 лет

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2113–2115
  38. Особенности фотоэффекта в варизонной структуре с потенциальным барьером при фотонном переносе ННЗ

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983),  2098–2100
  39. Влияние последовательного сопротивления на характеристику емкость–напряжение поверхностно-барьерной структуры

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983),  1068–1072
  40. Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения в варизонной $p{-}n$-структуре

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  753–755
  41. Неклассический термоинжекционный ток в GaP $p{-}n$-структурах

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  599–606
  42. Спектры фоточувствительности варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  125–128
  43. Optical and photoelectric properties of single $\mathrm{ZnSiP}_2$ crystals

    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 163:3 (1965),  606–608

© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024