RUS  ENG
Full version
PEOPLE

Eremin Vladimir Konstantinovich

Publications in Math-Net.Ru

  1. Modern silicon detectors for gamma-ray astrophysics

    UFN, 194:4 (2024),  416–431
  2. Scientific program of DERICA — prospective accelerator and storage ring facility for radioactive ion beam research

    UFN, 189:7 (2019),  721–738
  3. Position-sensitive spectrometric module for detecting ionizing radiation by semiconductor strip detectors

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:23 (2018),  56–62
  4. Глубокие уровни термодефектов в высокоомном особо чистом $n$-кремнии

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:11 (1992),  1962–1970
  5. Ложные пики в спектрах DLTS планарных диодных структур

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:3 (1992),  477–480
  6. RADIATION OF PLANAR DETECTOR STRENGTH BASED ON HIGH-OMHIC SILICON

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:24 (1992),  69–73
  7. Возможности профилирования концентрации тяжелых элементов в тонких ВТСП-пленках на пучках быстрых ионов

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:6 (1992),  91–94
  8. К вопросу о спектре глубоких уровней, создаваемых в кремниевых детекторах излучений $\alpha$-частицами

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:5 (1991),  852–858
  9. Компенсация кремния при дрейфе лития из ограниченного резервуара

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990),  585–587
  10. APPLICATION OF RUTHERFORD ION DISPERSION WITH PRECISION RESOLUTION TO THE ANALYSIS OF MULTICOMPONENT FILMS

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:8 (1989),  159–161
  11. Об использовании кремниевых структур типа М$-$П$-$М в методе емкостной спектроскопии глубоких уровней

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1613–1617
  12. Кинетика тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниковых $n^{+}{-}p{-}p^{+}$-структурах

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989),  478–482
  13. Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в кремнии по емкостным измерениям

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988),  2039–2042
  14. Диффузионные процессы в пакете носителей, дрейфующих в поле $p{-}n$-перехода

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1629–1633
  15. Изменение градиента концентрации лития при компенсации полупроводников методом дрейфа ионов

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988),  1526–1528
  16. Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988),  1239–1243
  17. Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1096–1100
  18. Contribution of Silicon Recombination Characteristics into Resolution of Detectors of Short-Path Particles

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1883–1887
  19. Theory of Semiconductor Compensation by the Method of Ionic Drift of Doping Impurity

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:9 (1987),  1673–1680
  20. Impact Ionization in Sharp $p^{+}{-}n$ Junctions under Dynamic Focusing of an Electric Field by the Track of Strongly Ionizing Particle

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987),  1388–1393
  21. Peculiarities of $p^{+}{-}n$-Structure Barrier Capacity in the Injection Mode

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987),  291–295
  22. Potentialities of application of silicon Schottky barriers and planar detectors in spectrometry of low-energy protons

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:9 (1987),  565–569
  23. RESOLUTION OF THE ALPHA-SPECTRUM SUPER-THIN STRUCTURE BY SILICONE PLANAR DETECTORS

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:10 (1986),  1987–1989
  24. Process of Concentration Establishment in a Drifting Packet of Excess Carriers Injected into the $p{-}n$-Junction

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986),  1856–1860
  25. On the Use of Electrooptical Effect for Studying Space-Charge Region of $p{-}n$ Structures

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:7 (1986),  1234–1238
  26. Temperature Effect on Carrier Trapping by Localized Aggregates of Impurities

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  350–353
  27. High-resolution performance of silicon detectors of short-range particles

    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:20 (1986),  1254–1258
  28. INFLUENCE OF LOCAL CLUSTER ADMIXTURES ON A FORMATION OF THE SPECTRAL-LINE IN SEMICONDUCTING DETECTORS

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:7 (1985),  1400–1405
  29. LINE-SHAPE AND A RESOLUTION OF EMISSION DETECTORS DURING PULSED CURRENT SPECTROMETRY

    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:6 (1985),  1130–1135
  30. Trapping of Charge Carriers by Localized Impurity Clusters in an Electric Field of $p{-}n$ Junction

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  70–76
  31. Study of Impurity Clusters in Pure Materials Using Shapes of Spectra due to Electron–Positron Pairs Annihilation

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984),  244–249
  32. Кинетика быстродействующих $p{-}n$-фотодиодов на материалах с собственной проводимостью

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  143–146
  33. Особенности кинетики тока, ограниченного объемным зарядом в $p{-}n$-переходах с электронейтральной базой

    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  139–142

© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024