|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
Диагностика эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на кремниевых
подложках, методами фотолюминесценции и емкостной спектроскопии
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:9 (1991), 1574–1578
-
Эффективность введения электронных ловушек в арсениде галлия
при высокотемпературном облучении электронами
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:7 (1991), 1169–1174
-
Влияние условий облучения на процессы дефектообразования в $n$-GaAs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991), 545–550
-
Влияние температуры облучения и электрического поля на образование
и стабильность вакансионных дефектов в $p$-Si
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991), 448–452
-
Дефектообразование в $n$-InP при повышенных температурах облучения
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991), 267–270
-
Особенности емкостной спектроскопии глубоких центров в диодах Шоттки
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991), 222–226
-
Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой
${\sim100}$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ.
II. Изменение рекомбинационных свойств
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991), 73–76
-
MODIFICATION OF CHARGE PUMPING METHOD FOR THE CONTROL OF
SPATIAL-DISPERSION OF RADIATION-INDUCED SURFACE-STATES IN
MOS-TRANSISTORS
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:19 (1991), 78–82
-
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs : In, полученных
хлоридным методом
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990), 2117–2120
-
Отжиг радиационных дефектов EM1 и E10 в GaAs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:11 (1990), 2051–2053
-
Отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в $n$-InP
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:11 (1990), 1963–1968
-
Структура пиков $E4$ и $E5$ в $n$-GaAs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990), 1427–1430
-
Влияние интенсивности облучения и энергии частиц
на эффективность образования глубоких центров в $n$-InP
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990), 1123–1126
-
Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой $\sim
100$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. Спектроскопия дефектов
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:4 (1990), 731–735
-
Модификация центра $E3$ в облученном $n$-GaAs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990), 295–299
-
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990), 185–187
-
Особенности поведения изовалентной примеси — индия при легировании
арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических
соединений
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990), 77–81
-
Структура пика E3 в арсениде галлия
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989), 1635–1639
-
Инжекционная, электрополевая и термическая перестройка радиационных
дефектов в $p$-кремнии
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989), 1625–1628
-
Особенности дефектообразования в эпитаксиальном арсениде галлия,
содержащем изовалентную примесь индия
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 626–629
-
Конфигурационные перестройки бистабильных центров в ковалентных
полупроводниках — фазовые переходы второго рода
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:2 (1989), 264–267
-
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на германиевых
подложках
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 166–168
-
Рекомбинация носителей заряда в арсениде галлия, содержащем области
скопления дефектов
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 90–95
-
Влияние легирования серой на образование глубоких центров в $n$-InP
при облучении
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988), 1311–1313
-
О природе дефектов с уровнем ${E_{c}-0.18}$ эВ в кремнии
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988), 1213–1218
-
О дефектах, возникающих в $n$-InP при низкотемпературном облучении
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988), 740–741
-
О влиянии германия на образование электрически активных дефектов
в кремнии
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988), 634–637
-
Capacity Spectroscopy of Minority-Carrier Radiation Traps in $n$-Type Silicon
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987), 1471–1473
-
Formation of Electron Traps in $n$-Туре InP under $\gamma$-Quanta Irradiation
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:6 (1987), 1075–1078
-
Spectroscopy of Radiation-Induced Defects in Nuclear-Doped Gallium Arsenide
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987), 327–330
-
Origination and Thermal Stability of Radiation-Induced Defects in $p$-Type Silicon Irradiated by Alpha-Particles
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986), 1055–1059
-
Injection Annealing of Radiation-Induced Defects in $p$-Typc Silicon in an Electric Field at ${78\div330}$ K
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 740–742
-
Kinetics of Recombinationally Accelerated Annealing of Defects in Semiconductors
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986), 287–293
-
On the Determination of Deep-Center Parameters Using Unsteady Capacitance Complex Spectra
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986), 237–242
-
On the Possibility of Defect Identification in Semiconductors
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985), 532–534
-
Effect of the strong electric-field on the velocity of introduction and space propagation of radiation defects in silicon
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:5 (1985), 309–311
-
DEFECT DISTRIBUTION DURING SILICON IRRADIATION BY ALPHA-PARTICLE
UNCOLLIMATED BEAM
Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:10 (1984), 2066–2068
-
Изучение глубоких центров в нейтронно-легированном арсениде галлия
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984), 2088–2090
-
Глубокие центры в $p^{+}{-}p{-}n{-}n^{+}$-структурах высоковольтных
диодов на основе арсенида галлия
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984), 1995–1998
-
Study of Deep Centers of Homojunctions and Heterojunctions on Gallium Arsenide by the Method of Tunnel Spectroscopy
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984), 76–78
-
Rotation of a polarization plane in some ortho-ferrites of the samarium – terbium system
Dokl. Akad. Nauk SSSR, 229:5 (1976), 1105–1108
-
Поправки к статье “Вращение плоскости поляризации в некоторых ортоферритах самарий-тербиевой системы”
(ДАН, т. 229, № 5, 1976 г.)
Dokl. Akad. Nauk SSSR, 231:6 (1976), 1280
© , 2024