Koltsov Vladimir Borisovich

Publications in Math-Net.Ru

1. Структурные превращения при нагреве монокристаллов кремния
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:4 (1991),  588–595
2. Магнитная восприимчивость полупроводников в жидком состоянии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989),  1129–1141
3. Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  330–333
4. Variation of the Type of Interatomic Bond under Germanium Melting Based on Experimental Study of Magnetic Susceptibility
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:12 (1987),  2152–2158
5. Study of Temperature Dependencies of Electric Conductivity and Thormoelectromotive Force near the Melting Point of Silicon in Solid and Liquid States
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:12 (1986),  2159–2162
6. Study of Electrophysical Properties of A$^{\text{IV}}$Te (A$^{\text{IV}}$ — Ge, Sn, Pb) Compounds in Solid and Liquid States
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986),  1413–1422
7. Study of Hall Effect of Mg$_{2}$B$^{\text{IV}}$ (B$^{\text{IV}}$ — Si, Ge, Sn, Pb) Compounds in Solid and Liquid States
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  834–839
8. On the Variation of State-Density Effective Mass and Mobility of Electrons under the Meltiog of Aluminum, Galium and Indium Antimonides
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  231–236
9. Study of Hall Effect in Gallium and Indium Arsenides in Solid and Liquid Phases
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:12 (1985),  2145–2148
10. Об изменении эффективной массы и подвижности электронов при плавлении германия и кремния
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1846–1851
11. Change in the entropy of an electronic subsystem during the semiconductor melting
    
    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 259:6 (1981),  1353–1356