Polyakov Aleksandr Yakovlevich

Publications in Math-Net.Ru

1. Thick epitaxial $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn layers on a patterned sapphire substrate
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:5 (2020),  27–29
2. Влияние выращивания в магнитном поле на электрофизические и рекомбинационные характеристики антимонида индия
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:2 (1992),  21–25
3. Влияние атомарного водорода на время жизни неравновесных носителей заряда в антимониде индия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:12 (1991),  2132–2134
4. Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990),  507–511
5. Изучение спектра глубоких центров в антимониде индия методом РСГУ
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:11 (1989),  2088–2090
6. Пассивация доноров и акцепторов в тройных и четверных растворах системы InGaAsP с помощью атомарного водорода
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1711–1713
7. Пассивация акцепторных центров в фосфиде индия атомарным водородом
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989),  1267–1269
8. Сравнение параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках при измерении методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии в вариантах температурного и частотного сканирования
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  725–727
9. О диффузии водорода в кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  178–180
10. К вопросу о механизме пассивации мелких доноров в арсениде галлия атомарным водородом
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:12 (1988),  2217–2218
11. Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1892–1894
12. Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении атомарного водорода в GaAs
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988),  1203–1207
13. Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  44–48
14. Passivation of electrically active centers in gallium arsenide magnetized microwave hydrogen plasma
    
    Dokl. Akad. Nauk SSSR, 297:3 (1987),  580–584
15. On the nature of the fine-structure in gallium arsenide lattice reflection spectra
    
    Fizika Tverdogo Tela, 29:10 (1987),  2886–2889
16. On the Behaviour of Vanadium in Gallium Arsenide
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987),  2024–2027
17. Passivation of Impurity Centers in Gallium Arsenide by Atomic Hydrogen
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1762–1764
18. Effect of Atomic Hydrogen on the Properties of Gallium Arsenide
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:5 (1987),  842–847
19. New method for investigation of microheterogeneity of local centers in high-ohmic semiconductor-materials using the REM
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:7 (1987),  385–388
20. On the Determination of Deep-Center Parameters in High-Resistance Semiconductors by Photoelectric Relaxation Spectroscopy of Deep Levels
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986),  1428–1432
21. Passivation of electric active-centers in gallium-arsenide by hydrogen plasma-flow
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:24 (1986),  1486–1489
22. On the Nature of Photoluminescence 1.14 eV Band in InP Crystals
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  1986–1990
23. Absorption of Energy Quanta Less than Optical Energy of Impurity Ionization in Manganese-Doped Indium Phoshidae
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1763–1767
24. Study of the Spectrum of Deep Centers in Epitaxial Structures by Relaxation Spectroscopy of Photoinduced Currents
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985),  735–737
25. К вопросу о природе некоторых электронных ловушек в арсениде галлия
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1450–1454