|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
Experimental detection of resonant tunneling in the doped structure with a single quantum well by the admittance spectroscopy method
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:24 (2018), 112–119
-
Investigation of ion-implanted photosensitive silicon structures by electrochemical capacitance–voltage profiling
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:3 (2016), 324–330
-
Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней
в полупроводниковых твердых растворах: метод определения функции плотности
состояний
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:12 (1991), 2163–2167
-
Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых
растворах: донорный уровень в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 64–67
-
On the Determination of the Parameters of Deep Centers in Semiconductors Using DLTS Spectra
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:9 (1987), 1734–1736
-
Deep donor level in the $Ga\,As_{1-x}\,P_{x}$ solid-solution
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:14 (1987), 847–848
-
Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения
Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 91:6 (2021), 893–894
© , 2024