Chudinov A V

Publications in Math-Net.Ru

1. Photoluminescent Studies of InGaAsP/InP Heterostructures with Active Region of $40\div 1000$ ÅThickness
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987),  1217–1222
2. Quantum-Dimensional Effects in Luminescence Spectra of Liquid-Phase InGaAsP/InP Heterostructures with Active Region of 230$-$60 ÅThickness
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987),  437–441
3. X-Ray Photoemission Studies of Liquid-Phase InGaAsP Heterostructures with Transient-Layer Extent of ${\leqslant20}$ Å
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:12 (1986),  2206–2211
4. Microcathodoluminescence of Double Heterostructures
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986),  1049–1054
5. Luminescence Efficiency and Boundary-Recombination Rate in Heteroslructures in Al$-$Ga$-$As and In$-$Ga$-$As$-$P
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  708–712
6. Low-threshold in $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ lasers of divided limitation with $\lambda=1.3$-mu-m and $\lambda =1.55$-mu-m ($I_{\text{threshold}}=600-700\,\text{A/cm}^{2}$)
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:4 (1986),  210–215
7. Special Features of Temperature Dependence of Thresholds in InGaAsP/InP DH Lasers (${\lambda=1.3}\, \mu m$) with Separate Limitation and Thin Active Region
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1496–1498
8. Special Features of Threshold Characteristics of InGaAsP/InP DH Lasers (${\lambda=1.3}\,\mu m$) with Separate Limitation and Superthin Active Regions
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1420–1423
9. Auger Profiles of Composition and Luminescent Studies of Liquid-Phase InGaAsP Heterostructures with Active Regions ${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$  cm
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1108–1114
10. Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом $300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы, ${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984),  2057–2060
11. Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом жидкостной эпитаксии
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984),  2041–2045
12. Luminescent and Threshold Characteristics of InGaAsP/InP Double Heterostructures (${0.94\mu m<\lambda<1.51 \mu m}$) under Optical Excitation
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984),  102–108
13. LASER TRANSFORMERS OF SHORT-WAVE EMISSION INTO THE INFRARED BASED ON INGAASP/INP DHS (DOUBLE HETEROSTRUCTURE) LASER (LAMBDA=1.0-DIVIDED-BY-1.35MKM,ETA-D=20-PERCENT,T=300-K)
    
    Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:16 (1984),  1010–1016
14. Эффективный перенос возбуждения из эмиттера в активную область при фотолюминесценции InGaAsP/InP ДГС
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2168–2172
15. Фотолюминесцентные исследования перераспределения неравновесных носителей заряда в InGaAsP/InP с двумя активными областями
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  714–717
16. Исследование эффекта насыщения интенсивности люминесценции в ДГ-InGaAsP/InP-структурах (${\lambda=1.3}$ мкм) при высоких уровнях возбуждения
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983),  464–468