|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
О локализованных возбужденных состояниях центров с отрицательной
корреляционной энергией в стеклах
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990), 1869–1873
-
Электронные свойства бистабильных дефектов
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990), 1795–1799
-
Двухузельная модель дефектов типа $A$-центров
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990), 1153–1157
-
Подвижность носителей тока в твердых растворах
Ge$_{1-x}$Si$_{x}$
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 48–51
-
Особенности проводимости полупроводников, обусловленные дефектами
с сильным электрон-решеточным взаимодействием
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988), 547–550
-
On the Mechanism of Defect Formation in Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ Alloys under Electron Irradiation
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987), 570–573
-
Characteristic Properties of Radiation-Induced Defect Formation in Crystals Si$\langle$Ge$\rangle$
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987), 562–565
-
Spectral and thermodynamical properties of electrons in gap from mobility of glassy systems
Fizika Tverdogo Tela, 28:2 (1986), 470–480
-
Statistics
of Charge Carriers in $p$-Туре Si
with Vacancies
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985), 1845–1848
-
On theory of conductivity and Hall effect in nonuniform semiconductors
Fizika Tverdogo Tela, 26:6 (1984), 1725–1730
-
К теории эффекта Нернста–Эттингсгаузена в неоднородных
полупроводниках
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983), 1691–1694
© , 2024