Karyaev V N

Publications in Math-Net.Ru

1. Особенности электрофизических свойств GaAsSb, легированного амфотерной примесь — германием
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990),  2219–2222
2. SURFACE OF GALLIUM-ARSENIDE ALLOYED BY ANTIMONY ISOVALENT ADMIXTURE
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:2 (1990),  43–47
3. Слабая локализация и спин-орбитальное взаимодействие в твердом растворе GaAs$_{0.94}$Sb$_{0.06}$ $p$-типа
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988),  381–385
4. Высота барьера Шоттки Au$-$GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  93–96
5. Nea photocathodes based on $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}$ solid-solutions – their application in photomultipliers
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:14 (1987),  833–835
6. Gurrent-Voltage Characteristics of Surface-Barrier Au$-$GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ Structures
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1634–1639
7. R-P structures based on $Al\,As-Ga$, $As-Ga\,Sb$ solid-solutions with the spectro-sensitive controlled strip
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:12 (1986),  764–767
8. DISLOCATION DENSITY AND P-N STRUCTURE PARAMETERS BASED ON GAAS(1-X)SBX SOLID-SOLUTIONS
   
   Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:11 (1985),  2280–2282
9. О влиянии дислокаций на величину обратного тока $p{-}n$-переходов в твердых растворах GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1205–1210