Ursaki V V

Publications in Math-Net.Ru

1. О фазовом переходе порядок$-$беспорядок в катионной подрешетке соединения ZnGa$_{2}$Se$_{4}$
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989),  1725–1727
2. Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами с энергией ${3.5\div4}$ МэВ
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1581–1583
3. Влияние имплантации ионов собственных компонентов на электрические свойства кристаллов GaAs
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1814–1817
4. Слои $p$-типа на кристаллах $i$-GaAs, отожженных в водороде
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1110–1112
5. Optical properties of $\mathrm{HgGa}_{2}\mathrm{Se}_{4}$ near the fundamental absorption edge
   
   Fizika Tverdogo Tela, 28:4 (1986),  1179–1180
6. Correction to the Paper «Effect of Anealing and Im plantation of Selenium Ions on Photoconduction and Luminescence Spectra of HgGa$_2$Se$_4$»
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986),  2131
7. Temperature Dependence of Absorption Edge in CdGa$_{2}$Se$_{4}$ and CdIn$_{2}$Se$_{4}$ Compounds
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986),  1914–1916
8. Effect of Annealing and Implantation of Selenium Ions on Photocondttction and Luminescence Spectra of HgGa$_{2}$Se$_{4}$
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986),  1116–1118
9. Photoconduction of Indium Phosphide due to P$_{\text{In}}$ Anti-Structural Defect
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985),  1310–1312
10. Aggregate of Electrically Active Impurities in Indium-Phosphide Single Crystals
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  810–813
11. Особенности релаксации фотопроводимости в монокристаллах InP$\langle$Fe$\rangle$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1812–1815