|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
Тонкая структуры $A$-линии связанного экситона в твердом растворе
GaAs$_{x}$P$_{1-x}:{}$N
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:4 (1992), 644–652
-
Параметры зонной структуры твердых растворов Si$_{x}$Ge$_{1-x}$
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:9 (1990), 1604–1607
-
Механизмы излучательной рекомбинации в селениде свинца вблизи
комнатной температуры
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:5 (1990), 795–799
-
Наблюдение примесных состояний в высокоомном арсениде галлия методом
фотоотражения
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989), 1280–1282
-
Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов
(SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 162–164
-
Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых
растворах: донорный уровень в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 64–67
-
Фотоэффект, индуцированный эффектом Штарка на связанном экситоне
в GaP : N
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 1107–1108
-
Рефракция света в полупроводниках
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 969–991
-
Deep donor level in the $Ga\,As_{1-x}\,P_{x}$ solid-solution
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:14 (1987), 847–848
-
Effect of Variations in Band-Structure Parameters on Energy Spectrum and Optical-Absorption Cross-Section
of Coupled Excitons: Nitrogen in GaAs$_{1-x}$P$_x$
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 672–676
-
Production and investigation of epitaxial layers of wide-range solid $(Si\,C)_{1-x}(Al\,N)_{x}$ solutions
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:17 (1986), 1043–1045
-
Magnetooptical Faraday Effect
in A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ Semiconductors and
in Solid Solutions on Their Base
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985), 1612–1616
-
Край собственного поглощения и катодолюминесценция нелегированных
эпитаксиальных слоев
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984), 1462–1466
© , 2024