Sidorov Valery Georgievich

Publications in Math-Net.Ru

1. Current generation in Pd/InP structures in hydrogen medium
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:12 (2021),  1236–1239
2. Hydrogen influence on the optical transparency of palladium layers
   
   Optics and Spectroscopy, 128:5 (2020),  603–606
3. Influence of hydrogen on the impedance of Pd/oxide/InP structures
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:6 (2020),  547–551
4. Influence of hydrogen on the electrical properties of Pd/InP structures
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1427–1430
5. Effect of the hydrogen concentration on the Pd/$n$-InP Schottky diode photocurrent
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:2 (2019),  246–248
6. Determining the hydrogen concentration from the photovoltage of Pd–oxide–InP MIS structures
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:10 (2018),  1183–1186
7. On the fractal nature of light-emitting structures based on III–N nanomaterials and related phenomena
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:9 (2016),  1195–1201
8. Сравнительное исследование люминесценции GaAs(Si) при фото- и электровозбуждении
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988),  1827–1830
9. Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988),  1359–1364
10. Внешний квантовый выход светодиодов из GaAs$\langle\text{Si}\rangle$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988),  532–534
11. Nonclassical Thermoinjection Current in InAsSbP/lnAs $p{-}n$ Structures
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  762–765
12. On the Nature of Unipolar Excitation of Polarized Electroluminescence in GaN(Zn, O)
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986),  144–146
13. Efficiency of Luminescence in Compensated Gallium Arsenide
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  934–936
14. On the Role of Density-of-States Tails in the Formation of Photoluminescence and Electroluminescence Spectra of GaAs$\langle$Si$\rangle$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985),  525–527
15. Обратные токи в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984),  2036–2040
16. Влияние иттербия на образование радиационных дефектов в $p{-}n$-структурах из фосфида галлия
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1890–1892
17. Влияние электрического поля на захват электронов глубоким донорным центром кислорода в фосфиде галлия
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1868–1870
18. Влияние несоответствия параметров решеток на $I{-}V$-характеристики InGaAsP/InP $p{-}n$-гетероструктур
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1413–1416
19. Influence of the Effect of Superradiation on Nonstationar Photoeffect
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:6 (1984),  1124–1126
20. Tunnel-Type Currents in InGaAsP/InP $p{-}n$ Heterostructures
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:6 (1984),  1034–1038
21. Study of Radiative-Recombination Efficiency of GaAs<Si> Structures
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:4 (1984),  635–638
22. Параметры центра, ответственного за долговременную релаксацию емкости в светодиодах GaP$\langle\text{Zn,\,O}\rangle$
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983),  2046–2049