|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
Фотоиндуцированное образование центров поверхностной рекомбинации
в арсениде галлия
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:3 (1992), 525–529
-
Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом
Чохральского с добавлением кислорода
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990), 507–511
-
Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические
свойства ядерно легированного арсенида галлия
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990), 187–189
-
FORMATION OF DISLOCATION-INDUCED HETEROGENEITY OF COMPOSITION OF
GALLIUM-ARSENIDE CRYSTALS
Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:2 (1989), 106–110
-
Изменение электрических параметров полуизолирующего GaAs
при термообработке
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989), 1791–1795
-
О связи концентрации глубоких центров EL2 и плотности
дислокаций в полуизолирующем GaAs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988), 1702–1704
-
Влияние дислокаций на распределение глубоких центров
в полуизолирующем GaAs
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988), 44–48
-
On the Role of Dislocations in Formation of the Properties of Semi-Insulating GaAs Single Crystals
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 634–640
-
To the Problem on the Reasons of Macroscopic Inhomogeneity of Undoped Semiinsulating Gallium Arsenide Single Crystals
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986), 154–157
-
Complex Formation and Thermal Stability of Electrophysical Properties of GaAs Semi-Insulating Single Crystals
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984), 465–470
© , 2024