Mikhnovich V V

Publications in Math-Net.Ru

1. Пары Френкеля в германии и кремнии (Обзор)
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:1 (1992),  22–44
2. Модель кинетики формирования радиационных дефектов в кремниевых диодных структурах
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990),  181–184
3. Dependence of the efficiency of homogeneous Frenkel pair annihilation in crystals on irradiation intensity
   
   Fizika Tverdogo Tela, 31:3 (1989),  306–308
4. Скопление точечных дефектов и их влияние на рассеяние носителей заряда в полупроводниках
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989),  1395–1399
5. Эффективность образования точечных дефектов в $n$- и $p$-Ge в условиях облучения при 77 и 300 K
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989),  425–428
6. Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  184–185
7. Механизм отжига разупорядоченных областей в кремнии
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1137–1139
8. Модель кинетики формирования областей разупорядочения в полупроводниках с учетом деформаций
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  750–753
9. О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  243–247
10. On the Recombination on the Regions of Disorder in Semiconductors
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987),  537–541
11. Effect of Compressive Stress on the Kinetics of Disorder-Region Formation in Silicon
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986),  167–170
12. Отжиг областей разупорядочения в $n$-кремнии
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984),  1670–1673
13. Межузельная стадия формирования областей разупорядочения в $n$-кремнии
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984),  1668–1670
14. MODEL OF THE CHARGE DEPENDENCE OF FORMATION REACTIONS OF RADIATION DEFECTS ACCUMULATIONS IN SEMICONDUCTORS
    
    Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:7 (1983),  1361–1367
15. Зависимость скорости формирования $E$-центров в кремнии от вида легирующей донорной примеси
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983),  1698–1701
16. Формирование и рекомбинационная эффективность точечных радиационных дефектов в электростатическом поле областей разупорядочения в $n$-кремнии
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983),  786–789