|
|
Publications in Math-Net.Ru
-
Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном
легировании кремния
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991), 1075–1078
-
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в $n$-Si
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989), 2227–2229
-
Исследование диффузии меди в профилированном кремнии, полученном
способом А.В. Степанова
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989), 1891–1893
-
Влияние никеля на кинетику образования и отжига термических центров
в кремнии
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989), 1301–1303
-
Диффузия фосфора в профилированном кремнии, полученном способом
А. В. Степанова
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988), 2088–2090
-
Радиационное дефектообразование в диодных структурах с различной
интенсивностью
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988), 510–512
-
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси
фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного
гидрированного кремния
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988), 20–23
-
Study of Iron Interaction with Other Elements in Silicon
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986), 185–186
-
Solubility of Tin in Phosphorus-Doped Amorphous Hydrogenated
Silicon
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:12 (1985), 2219–2220
-
DLTS Study of the $\gamma$-Irradiation
Effect on the Properties of $n$-Туре Si$\langle$Mn$\rangle$
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985), 1617–1619
-
Si$\langle$Mn$\rangle$-Based Sandwich-Type Photoresistor
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985), 1511–1512
-
Diffusion in Phosphorus-Doped
Amorphous and Hydrogenated Silicon
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985), 1182–1185
-
Some Peculiarities of the Kinetics of Thermal-Center Annealing in $p$-Type Si
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985), 1173–1175
-
Effect of High Hydrostatic Pressure on Activation Energy of Mn Levels in $n$-Туре Si
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985), 1159–1161
-
Interaction
of Oxygen with Manganese in $n$-Si
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985), 1158–1159
-
Study of Fe in $n$-Type Si by ESR and Capacity Methods
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985), 349–350
-
Deep Levels in Silicon Related with Manganese
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985), 213–216
-
О некоторых особенностях дифференциальной проводимости туннельных
структур металл–полупроводник
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:10 (1983), 1850–1852
© , 2024