Zhdan Alexandr Georgievich

Publications in Math-Net.Ru

1. Термическая генерация неосновных носителей заряда у границы раздела полупроводник$-$диэлектрик через глубокий уровень в приповерхностном слое обеднения
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:12 (1992),  2048–2056
2. Динамические вольт-амперные характеристики фоточувствительных слоистых структур на основе сильно легированного Si$\langle\text{As}\rangle$ с блокированной проводимостью по примесной зоне
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:12 (1992),  2024–2030
3. Определение электронных характеристик границ раздела полупроводник$-$диэлектрик по полевым зависимостям электропроводности и емкости инверсионных каналов МДП транзисторов
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:12 (1992),  2017–2023
4. Определение сечения фотоионизации легирующих примесей в полупроводниках из измерений эффекта Холла
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:6 (1992),  1096–1099
5. ELECTRON CHARACTERISTICS OF MODULATION-ALLOYED HETEROTRANSITION STRUCTURES OF ALGAAS-GAAS GROWN BY MOS-HYDRIDE EPITAXY METHOD
   
   Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:17 (1992),  62–65
6. Проявление дискретных уровней при релаксационной спектроскопии локализованных электронных состояний с непрерывным спектром
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990),  503–506
7. Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник$-$диэлектрик
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990),  159–165
8. Динамика проявлений флуктуационного потенциала и поверхностного рассеяния в кинетических характеристиках инверсионного Si${-}n$-канала
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2122–2128
9. Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных $n$-каналах Si$-$МОП структур
   
   Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989),  1618–1624
10. Проявление флуктуационного потенциала в кинетических характеристиках $n$-каналов инверсии на поверхности кремния. Случай малых флуктуаций
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988),  1365–1369
11. Динамическая релаксационная спектроскопия — определение параметров локализованных электронных состояний в режиме периодической термостимуляции
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988),  1199–1202
12. Межпримесная рекомбинация дырок через $A^{+}$-состояния в слабо компенсированном $p$-Si
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1011–1015
13. Идентификация пространственной локализации пограничных состояний в экспериментах по термостимулированному разряду МДП конденсатора
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  758–760
14. Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  586–592
15. Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник–диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  237–242
16. Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний и энергетической зависимости сечений захвата в Si — МОП структурах
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  223–228
17. Relaxation of Filling of Three-Dimensional Levels in a Semiconductor Stimulated by an Electric Field of near-to-Surface Depletion Layer
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1924–1927
18. Relaxation Spectroscopy of Boundary States in MDS Structures with Consideration for Charge-Carrier Tunnel Transitions into the Empty Band
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:3 (1987),  461–465
19. Evidence of $A^{+}$ Centers and $A^{+}_{2}$ Complexes in the Kinetics of $p$-Silicon Impurity-Photoconduction Relaxation
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987),  217–221
20. Determination of Boundary-State Parameters by the Method of MDS Capacitor Thermally Stimulated Discharge in the Constant Capacitance Mode
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  208–213
21. Determination of Hall Concentration and Mobility in the Layers of Inversion on Semiconductor Surfaces
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1003–1007
22. Quasi-Anomalies of Surface-Slate Density at the Edges of Allowed Bands of a Semiconductor Bordering with a Dielectric
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  138–140
23. Some peculiarities of de Haas-van Alfena effect in space-nonuniform samples
    
    Fizika Tverdogo Tela, 26:1 (1984),  276–277
24. Тонкая структура зависимости электропроводности поверхностных каналов на $n$-Si от поперечного поля и особенности их перехода к режиму инверсии
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983),  1686–1688
25. Особенность в изменении плотности локализованного заряда при смещении уровня Ферми на границе раздела двух однотипных полупроводников
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  690–693
26. Электропроводность полупроводников с межгранульными границами и спектроскопия пограничных состояний при наличии туннельного тока
    
    Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983),  390–393